帮忙分析一下过流保护电路。

电流的流向是什么样的？是过R79到VOUT  还是过V10M,B,E到VOUT？ V10是如何动作的呢？

VOUT电压是多少V？

R79上面得电流大到让R79的压降超过0.7V，V10就导通了。

R2D2 发表于 2019-8-23 16:55
R79上面得电流大到让R79的压降超过0.7V，V10就导通了。

请问这个电流流向是怎样的？

R2D2 发表于 2019-8-23 16:55
R79上面得电流大到让R79的压降超过0.7V，V10就导通了。

是经过V10的 BE 还是经过R79？

负载电流主要甚至是全部流过R79的。随着流过R79的电流增加，R79两端的电压亦增加，而V10的发射结电压就是R79两端的电压。当V10的发射结电压增加到0.7V左右，V10开始导通，V3的栅极电压会随之降低，V3的导通程度下降，输出电压则下降，以此来达到限流的目的。当V10未导通时，负载电流全部流过R79，当V10导通时，绝大部分负载电流依然流过R79，只有很少一部分流过V10。

chunyang 发表于 2019-8-27 11:48
负载电流主要甚至是全部流过R79的。随着流过R79的电流增加，R79两端的电压亦增加，而V10的发射结电压就是R7 ...

嗯嗯，很小的那一部分电流就是IB吧，V10导通为什么会导致V3 G级电压降低，没看太明白。

各位老哥们·V10导通为什么会导致V3 G级电压降低

NMOS是VGS为高导通的，V10不导通时G级电压时稳压管的电压，导通后就分流降压了，电流过大了 VGS等于-0.7V ，截止输出了。

625242387 发表于 2019-8-29 10:52
NMOS是VGS为高导通的，V10不导通时G级电压时稳压管的电压，导通后就分流降压了，电流过大了 VGS等于-0.7V  ...

不太对啊， 你这个解释···

我可是个宝宝 发表于 2019-8-27 14:05
嗯嗯，很小的那一部分电流就是IB吧，V10导通为什么会导致V3 G级电压降低，没看太明白。 ...

如果R79上的压降不足以使V10导通，那么就没有Ib。至于为什么V10导通会降低V3栅极电位，把V10的CE极在导通时想象成一个可变电阻（可以这么等效），再考量与R7、R11的分压，该明白了吧。

chunyang 发表于 2019-9-9 20:08
如果R79上的压降不足以使V10导通，那么就没有Ib。至于为什么V10导通会降低V3栅极电位，把V10的CE极在导通 ...

请问一下，因为有着V8的存在，MOS管GS电压差应该永远都是Vz=6.2V，MOS管导通的程度应该是不会变化的把？那是如何控制输出呢？

2年咯 楼主还没想明白么

lfc315 发表于 2021-8-19 17:13
2年咯 楼主还没想明白么

突然忘记这个东西了，最近有空，又回来继续学习。版主说的倒是理解了，但是有个稳压管这个地方还没理清楚， 前辈解释一下。因为有着V8的存在，MOS管GS电压差应该永远都是Vz=6.2V，MOS管导通的程度应该是不会变化的把？那是如何控制输出呢？

你的误区在：“MOS管GS电压差应该永远都是Vz=6.2V”
是最大只能是6.2V，不是永远都是6.2V。

好像工作不了...

lfc315 发表于 2021-8-20 10:17
你的误区在：“MOS管GS电压差应该永远都是Vz=6.2V”
是最大只能是6.2V，不是永远都是6.2V。 ...

知道问题了，谢谢。

如果Vout对地短路，MOS管大概率烧掉。
这时候MOS管要承受7.5V，10A以上的功率。
这个电路根本不是“保护”电路，而是限流。

如果VOUT短路，会导致R79电压上升，上升到能够导致V10导通的时候，24V的电流流过R7 R11和V10，导通后的V10的C E相当于一个电阻，简化电路，就是24V串联5.1K --300R--Rce---7.5V，计算电流I = (24-7.5)/5.1+0.3+Rce，然后计算出每个电阻的压降，然后可以计算出R11上端的对地电压，然后可以算出V8两端电压。