强信号干扰

下面程序每1秒中断一次，每60秒存储一次，SIFCNT是单片机用来记数的计数器，记每秒的瞬时流量，Total_flow是总流量，结果写入FLASH正常，可是每过60秒FLASH写入后一秒左右One_T都会变的很大，不是正常的大但每次数都不一样没什么规律性，求大虾帮找找原因，为什么每次FLASH写入后一秒左右One_T都会变的很大？？？？？？？？忙了两天都没结果！！！！

void main(void)

{    SystemInit();   //初始化

     InitScanIF();

     LCD_Init();   

     cl_lcd();      //清屏



    Total_flow=ReadFloat((uint16 *)addr_T_F);   // 读累计流量



    WDTCTL = WDT_ADLY_1000;   //每1秒中断

    _EINT();

    IE1 |= WDTIE;         ///使能WDT中断



    while (1);

}  



#if __VER__ < 200

    interrupt [WDT_VECTOR] void ISR_WDT(void)

#else

    #pragma vector=WDT_VECTOR

    __interrupt void ISR_WDT(void)

#endif   

    { One_T=SIFCNT;

      Total_flow=Total_flow+One_T;

      Writ_flag++;        

      if (Writ_flag>=60)  

      { _DINT();

       Erase((uint16 *)addr_T_F);         //擦除累计流量

       WritFloat((uint16 *)addr_T_F, Total_flow);  //写累计流量

       Writ_flag=0;                               // 写时间标志置0

        _EINT();

       }

     }

检查程序有没有溢出之类。。

你的标题是干扰 问题是没说是什么干扰啊

这个可以检查下程序结构部分的吧。

flash存储的跟强信号的有啥关系的？

flash存储的跟强信号的有啥关系的？

有可能是flash所使用的总线的电平信号不稳吧

One_T是指的什么啊 楼主

干扰信号有什么问题??电流过大？？

不影响存储器的读写就没有问题。

这个强信号指的是什么？？？

是电流过大造成的吧。

应该是使用隔离电源试试。

是干扰到flash读写了吗

这个干扰信号是怎么测量出来的？

存储器的问题，添加多个电容试试。

好的，我明天去单位试一下，多谢各位大侠了哈