怎么看芯片的输入电流?

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 楼主| agloo 发表于 2009-1-24 12:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
我想用cypress的SRAM,但是它的芯片手册上好像没有给出每条I/O管脚的输入电流,只给了个input&nbsp;leakage&nbsp;current。这个漏电流和正常工作时的输入电流是两码事吧?怎么才能找出它的输入电流呢?<br />SRAM的芯片手册在这里:<br /> 相关链接:<a href='http://download.cypress.com.edgesuite.net/design_resources/datasheets/contents/cy62157ev30_8.pdf'>http://download.cypress.com.edgesuite.net/design_resources/datasheets/contents/cy62157ev30_8.pdf</a>
NE5532 发表于 2009-1-24 13:53 | 显示全部楼层

leakage是静态

动态指标要用输入电流估算,一般设计不用计较到这个份上。并且leakage和动态电流(关系输入电容大小)是封装决定的,你不一定在数据手册上能找到这些指标。
 楼主| agloo 发表于 2009-1-24 14:42 | 显示全部楼层

谢谢施主。

我想大概估算一下电流的数量级。我怕驱动芯片的驱动能力搞它不定。另外,我要用电池供电,想知道这个片子大概会消耗多少功率在I/O上。
NE5532 发表于 2009-1-24 16:10 | 显示全部楼层

没几个uA

你加上拉耗的电都比这个多。
chunyang 发表于 2009-1-25 22:12 | 显示全部楼层

SRAM都是CMOS结构的

&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;其输入电阻很高,不能用电流衡量,主要是通过节电容的充放电效应消耗输入电流,而该效应与输入信号的频率相关,不是常量,通常HC门的驱动能力可至少带数十个CMOS型输入,只是实际应用中负载过多会因布线复杂导致信号反射,而信号反射很可能比CMOS的容性输入负载对信号的影响更严重,同时也是频率越高越明显,所以考量高速CMOS电路设计时要用专门的设计思想而不能简单套用欧姆定律。
 楼主| agloo 发表于 2009-1-29 06:09 | 显示全部楼层

多谢多谢。

  
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