高端检测电流的一个疑问

输出恒流源，负载电阻的变化导致差分运放输出电压有一些变化，求指点下这是运放上哪个参数导致的？

原因如楼上所分析。另这种方式想要比较精确的检测电流是有难度的，电阻需要匹配。实际使用可以用个几毛钱的INA199类似器件，简化电路，性能更好.

king5555 发表于 2021-1-26 23:05
负载电压有变动，导致电阻R2上的电流跟着变动，而牽动IR4。Ibn电流由VCC往经-in端向外流出(LM358是流出)。 ...

懂了，谢了

你仿真所用的源是电流源吧？
这样就导致共模电压有很大变化了，而LM358的共模抑制比并不高。

fzyuan 发表于 2021-1-27 11:43
你仿真所用的源是电流源吧？
这样就导致共模电压有很大变化了，而LM358的共模抑制比并不高。 ...

是的，共模电压有很大变化，看样子LM358只能用在要求不高的场合

jeraw2018 发表于 2021-1-27 13:51
是的，共模电压有很大变化，看样子LM358只能用在要求不高的场合

不一定，可能只是你仿真的模型有问题。
或者，根本就不需要使用“高端检测”。

正好我也喜欢研究高端电流采样

vo的相对变化率

当R8由0-10欧

结论：用理想运放去分析，变化趋势与仿真软件相同。
当r8由0到10，vo由大逐渐变小。

叶春勇 发表于 2021-1-27 15:00
正好我也喜欢研究高端电流采样

抑制比极高

csdnpurple 发表于 2021-1-27 17:22
抑制比极高

这个电路需要高共模电压的运放

csdnpurple 发表于 2021-1-27 17:22
抑制比极高

你贴的图，运放反相端电压达到vcc。
很多pnp输入的运放不行的，例如lm358

fzyuan 发表于 2021-1-27 14:28
不一定，可能只是你仿真的模型有问题。
或者，根本就不需要使用“高端检测”。 ...

为了共地只能高端检测，低端检测共模电压就没这么高了

R1 R3是要给基准吗？
试试单独加一个电压源  如果是现在的接法，基准会变

king5555 发表于 2021-1-28 08:32
那电路性能就这样，叶仔已经分析。前几楼那个是TI公司的INAxxx。
不过现在用LM358的输出误差算是不错的， ...

恩，如果用INA仿真的话性能好很多。估计这个电路性能就这样

jeraw2018 发表于 2021-1-27 19:49
为了共地只能高端检测，低端检测共模电压就没这么高了

系统有3个可能需要“共地”的元素：
1是“源”；
2是负载‘
3是检测电路。

想问一下楼主是需要这3者同时共地？
且“源”的输出电压是有很大变化的？
且“源”的最低电压可能小于5V（或3V）？
且“源”不可用于检测电路的供电？
只要上述问题不全部“是”，就应该是一个可以廉价且简单的解决。

你这个电路共模抑制比太低，还是用专用的high side电流监测芯片吧，就是11楼说的那种，很多厂商都有，完全满足你的需求，自己捣鼓这种通用电路没前途的。

高端，是这个吗？！

fzyuan 发表于 2021-1-28 14:15
系统有3个可能需要“共地”的元素：
1是“源”；
2是负载‘

3者都得共地，源假设是恒流源，源和检测电路电源只是共地

Siderlee 发表于 2021-1-27 21:37
R1 R3是要给基准吗？
试试单独加一个电压源  如果是现在的接法，基准会变

基准应该在单电源的时候需要。上面分析的挺有道理，共模电压的变化导致运放输出电压的微小变化