回9楼、10楼,不排除部分单片机型号的Flash存储时间较长,但非所有型号都是这样,另外实际应用中基于可靠性设计的要求还需考虑其他因素,包括温度、电磁辐射干扰、电压波动等,参数的使用也不能极限,要留有余量。综合考虑,就目前单片机所用的制程工艺而言,可靠的系统设计寿命就是15-20年,再长,存储器件的选择就会不同,这同样是基于可靠性设计的要求。
对于单片机片内程序存储器而言,一个字节出错哪怕是概率性出错(时间长到一定,先出现的是概率性读取出错,按系统失效性的要求,此时已该判定系统报废),对系统而言已算寿终正寝,设计寿命则是在大批量中的极小值的基础上再乘以一个小于1的系数,这就是我说的数字的由来。
类似的,重要的数据管理时,存储媒介的标称额定寿命只可最多用到其大约一半,超期即判为失效,要在失效期内做复制。
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