STM32L476写FLASH必须是64位（8字节）写，也就是double WORD，而且要先把要写的字节部分擦除掉。
问题来了，先把整片用仿真器擦除掉，程序中先定义一个64位的静态变量常数0xFFFFFFFFFFFFFFFF，保证在FLASH中的位置是8字节对齐的位置，下载程序，然后在这个位置FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD，结果报编程错误，然后是字节对齐错误，编程步骤顺序错误。
芯片最后几K的空间用来做参数存储的，是完全能正常读写的，先擦除，再写入完全没问题。现在也做一个测试，先用仿真器把整片擦除，然后将写参数部分的擦除代码屏蔽，编译，下载进去，直接写参数，也报编程错误，然后是字节对齐错误，编程步骤顺序错误。
L476用库函数擦除后是0xFF，用仿真器擦除后也是0xFF，没区别啊，难道芯片内部能检测写之前有无擦除动作？仔细检查了的，写之前各种错误标志也清空了的。
有什么窍门或没注意到的地方？
可能有的网友没看明白我要做什么，简言之就是程序代码区域有一片连续的8字节，共64比特，全是0xFF的区域进行修改，存储想要的数据。
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楼主
