用STM32F103xE 的IO控制MOS管的问题？

请教：
微控制器：STM32F103xE ；
MOS管：IRFZ44N；
电路图如下：
请问，用STM32F103xE 的PC0口可以驱动MOS管IRFZ44N吗？
非常感谢！

用MCU驱动MOSFET，主要考察需求开关速度（太快的不能用MCU），阈值电压（MCU的高电压只有3.3V）。
由此可见，MCU驱动IRFZ44N并不合适，其阈值电压在2～4V之间，可能会导致量产时，某些MOSFET可以打开，某些MOS无法打开

还是用三极管来驱动吧

谢谢楼上的指点！
我的理解如下，不知对否，还请指点（IRFZ44N的静态特性如下图所示）！
STM32F103xE    MCU的高电压只有3.3V。
对于阀值电压为2V～3.3V的IRFZ44N，该MCU可以正常驱动，打开MOSFET；对于阀值电压为3.3V～4V的IRFZ44N，该MCU就无法 正常驱动该IRFZ44N，不能打开MOSFET。


谢谢！

通常我们很不推荐使用 IO 口直接驱动 MOSFET
原因:
1. 开关电压的阀值很难匹配, 当然楼主还可以找到 1.0~2.x 阀值的 MOSFET, 但开关瞬间的 IO 口还是难于提供足够的驱动电流, 以至于开关损耗大, 易损坏 MOSFET;
2. MOSFET 是个比较大的结电容 Cgs, 开关瞬间有峰值冲击电流,  IO 口相对来说比较脆弱, 容易损坏, 即使在输出端口串联限流电阻, 由于电容充放的冲击电流, 给单片机造成噪声干扰也比较严重.
3. MOSFET 的 Cdg 也是很容易造成单片机干扰的因素, 这个电容让输出和输入相耦合, 让开关噪声通过这个电容耦合到 IO 口, 产生干扰!

IO 电压大低，如果你Z44负载电流小，MCU用5.5V，那还是可以的；
MCU用5V以下或Z44负载电流大于100mA,那还是改加三极管用12V去驱动Z44吧。

5楼分析的很好啊，牛叉。

非常感谢大家的指点!

如下图所示：
用STM32F103XE的PC0口控制三极管Q1，此三极管用作MOS管Q2的驱动，来控制MOS管Q2的通断。
请问，在上电复位（或不断电复位）的情况下，上述电路能否保证此时Q2处于关断状态。
谢谢！

MOSFET 不是压控吗？开关瞬间是因为有电容在才导致很大的电流消耗吗？

MCU 复位后的IO状态如何？复位后被置为浮空输入模式，不会打开MOSFET。

结电容应该不至于损害IO。
单片机IO本来就可以带容性负载，而且也有内部等效电阻进行限流。

直接驱动MOS管应该不行吧，虽然是压控但是需要小电流的。

学习了，谢谢大家！

IO 电压大低，如果你Z44负载电流小，MCU用5.5V，那还是可以的；
MCU用5V以下或Z44负载电流大于100mA,那还是改加三极管用12V去驱动Z44吧。
lrhsx33 发表于 2012-5-14 09:40

在mos管前面加三极管推动会好点么？9楼的图对吗