两个电路该如何分析

在第一个电路的输出结构中，输出端的推挽结构采用了二极管偏置，类似的像这样的存在静态偏置和静态电流的放大电路中，输出中也会含有静态电流放大的成分，在输出侧如何去除个直流成分？
2、在集成运放电路中，芯片中的电容最多可以做到多大容量？在右图R4，R6，R9旁边的电容有什么作用？
图一：

图二：

找书看吧  这要讲清楚得写一本书

芯片的内部结构图一般不用看，只有在分析芯片部分特性的时候才会用到，主要是帮助大家理解芯片内部是怎么工作的。

使用芯片的时候，主要看典型应用电路，还有外围容阻的选用计算。

dirtwillfly 发表于 2024-9-14 09:11
芯片的内部结构图一般不用看，只有在分析芯片部分特性的时候才会用到，主要是帮助大家理解芯片内部是怎么工 ...

谢谢各位坛友，正在看书对照着理解。

第一个图中，这种二极管偏置结构是用来解决偏置失真问题的。可以参考：https://finance.sina.com.cn/tech ... civmik2564966.shtml

第二个图，R4，R6间的电容，是用来隔离直流信号的。
R9旁边的电容主要是滤波。
芯片内部的电容都很小的，一般不大于几百pf

这是模拟电路基础的知识。
1、静态电流不会输出，损耗在管子中了，甲乙类，适当的静态电流是必须的（做过分立零件功放就知道），减小交越失真。集成电路中的二极管与三极管的PN结同性能，所以温度变化不会导致较大的静态电流变化，但分立零件就不同。
2、集成运放电路的电容一般是pF级别的。图二是分立零件放大电路。R3、R4、R8旁的电容为隔直耦合交流作用，R5、R9则是交流旁路电容。

丙丁先生 发表于 2024-9-22 08:28
R4、R6间的电容我认为，有隔离直流分量和增加三极管基极能量的作用，同时我总觉得像差分放大的意味，可能有 ...

R4、R6间的电容除了治理直流、耦合交流信号，没有你说的那3个功能，只要选择合适容量，就没有“增加三极管基极能量”的作用，跟差分放大更是不搭边，电容对抑制温漂没有任何帮助，抑制温漂是靠的直流负反馈（R4、R9）。