[开发板] CW32L010F8P6深度睡眠模式下的电流消耗测试

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 楼主| suncat0504 发表于 2024-11-16 10:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 suncat0504 于 2024-11-16 10:41 编辑

前面测试了在正常工作状态下CW32L010F8P6和CW32F030F8P6的电流消耗对比情况。本次测试将在深度睡眠模式下,两个开发板消耗的电流情况。
CW32L010F8P6的电路图:
图片1.png
CW32F030F8P6的电路图:
图片3.png
依旧选择测量点在CW32L010F8P6开发板的J23处、CW32F030F8P6开发板的J21处,主程序代码修改为配置完系统时钟就立即进入深度睡眠模式,方便直接测量电流。
CW32L010F8P6的主程序代码:
  1. int32_t main(void) {
  2.     SYSCTRL_HSI_Enable(SYSCTRL_HSIOSC_DIV2);
  3.    
  4.     SYSCTRL_GotoDeepSleep();
  5.     while (1) {
  6.     }
  7. }


CW32F030F8P6的主程序代码:
  1. int main(void) {
  2.     RCC_HSI_Enable(RCC_HSIOSC_DIV2);  //配置系统时钟为HSI 24M
  3.                 DeepSleepModeTest();   
  4.     while (1) {
  5.     }
  6. }

上一次测试中失误,忘了系统主频对功耗的影响,这次修改为相同的系统主频,均为24MHz(根据注释,没实测,两个开发板均使用16MHz的晶振)。

CW32F030F8P6开发板的电流结果为2.7μA,
图片6.png
而CW32L010F8P6开发板的电流只有0.2μA,这差距十分明显了。
图片7.png
从这两次的测试结果上看,CW32L010F8P6的低功耗特性非常抢眼了。


小小蚂蚁举千斤 发表于 2024-11-22 09:25 来自手机 | 显示全部楼层
低功耗模式0.2uA非常低的
中国龙芯CDX 发表于 2024-11-24 19:28 | 显示全部楼层
深度睡眠模式下的电流非常低,外设少的情况下能够待机很长时间
tpgf 发表于 2024-12-3 15:34 | 显示全部楼层
这么低的电流 我们如何才能测得到呢 用什么手段来测试呢
 楼主| suncat0504 发表于 2024-12-3 20:35 | 显示全部楼层
tpgf 发表于 2024-12-3 15:34
这么低的电流 我们如何才能测得到呢 用什么手段来测试呢

肯定的用精度高的微按、纳安电流表测量。万用表的量程上虽然能匹配,但感觉误差会很大。
renzheshengui 发表于 2024-12-6 12:59 | 显示全部楼层
CW32L010F8P6在深度睡眠模式下的电流消耗非常低,大约为0.2μA
wowu 发表于 2024-12-6 16:26 | 显示全部楼层
在STM32单片机中,RAM的大小因型号而异,如STM32F103C8T6有20KB的SRAM
xiaoqizi 发表于 2024-12-6 19:07 | 显示全部楼层
在深度休眠模式下,CPU停止运行,高速时钟(HSE、HSIOSC)自动关闭,而低速时钟(LSE、LSI、RC10K、RC150K)保持原状态不变,从而大大降低了功耗
木木guainv 发表于 2024-12-6 20:56 | 显示全部楼层
CW32L010F8P6在深度睡眠模式下的电流消耗远小于休眠模式,非常适合需要长时间待机的应用场合
磨砂 发表于 2024-12-6 22:41 | 显示全部楼层
在用户实际使用中能达到这个数值吗
LOVEEVER 发表于 2024-12-12 09:23 | 显示全部楼层
依旧选择测量点在CW32L010F8P6开发板的J23处、CW32F030F8P6开发板的J21处,主程序代码修改为配置完系统时钟就立即进入深度睡眠模式,方便直接测量电流。
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