STM8L dataflash 擦写次数

发表于 2012-5-31 16:40

我在STM8L152C8 的dataseet里没有看到这个参数，有谁知道么？

发表于 2012-5-31 17:07

我看 STM8S的资料里是300K cycles，STM8L是不是也是这个参数？

发表于 2012-5-31 17:35

我看 STM8S的资料里是300K cycles，STM8L是不是也是这个参数？
ddmking 发表于 2012-5-31 17:07

如果没记错，STM8L也是300k

发表于 2012-6-1 08:47

为什么数据手册里不写这个参数了呢？现在要做电能存储，要经常写 Data EEPROM

发表于 2012-6-1 10:35

为什么数据手册里不写这个参数了呢？现在要做电能存储，要经常写 Data EEPROM
ddmking 发表于 2012-6-1 08:47

有的。
我看的STM8L（STM8L152x6） Rev6的 datasheet，在9.3.5 Memory characteristics，Erase/write cycles (data memory)有300k的指标。

发表于 2012-6-1 13:37

只知道NAND 100K/10K

发表于 2012-6-4 09:11

哪里？？？我没有看到啊

发表于 2012-6-4 09:24

找到了，是300Kcycles ！在Electrical parameters里有描述，不过好像是没有i测试过

发表于 2012-6-4 16:33

找到了，是300Kcycles ！在Electrical parameters里有描述，不过好像是没有i测试过
ddmking 发表于 2012-6-4 09:24

如果测试过了，意味着你拿到的产品已经烧写过30万次了，你还敢用吗？ :lol

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