关于芯源MOSFET的一些疑问？

查看芯源的MOSFET相关的选型发现N沟道的比较多P沟道的几乎没有，是制造工艺的问题还是市场需求，为什么没有做P沟道的MOSFET呢？

P沟道MOSFET是空穴导电，N沟道MOSFET是电子导电，要达到同样的性能参数（功率、导通电阻等），P沟道MOSFET比N沟道成本要高很多，因此产量低、品种少、价格高

nmos便宜又好用，除了特殊应用应该都用nmos吧

其实主要还是性价比以及材料问题

这个芯源和那个芯源是一家吗？这个芯源不是做MCU的吗

在 N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET 的产品分布上存在明显差异，通常 N 沟道 MOSFET 的数量远多于 P 沟道 MOSFET。这种现象主要是由制造工艺的差异导致的

N 沟道 MOSFET 的载流子是电子，而 P 沟道 MOSFET 的载流子是空穴。在硅材料中，电子的迁移率（约 1350 cm²/V·s）远高于空穴的迁移率（约 480 cm²/V·s）。因此，N 沟道 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）更低，性能更好，适合高电流、高效率的应用。

制造 N 沟道 MOSFET 的工艺相对简单，成本较低。P 沟道 MOSFET 的制造工艺更复杂，需要更高的掺杂浓度和更精确的控制，导致成本较高

一般来说，N 沟道 MOSFET 的导通电阻通常比 P 沟道 MOSFET 低，因此在相同电流下，N 沟道 MOSFET 的功耗更低，效率更高

开关速度，N 沟道 MOSFET 的开关速度更快，适合高频开关应用（如开关电源、DC-DC 转换器等）。

热性能，由于 N 沟道 MOSFET 的导通电阻更低，发热量更小，热性能更好。

N 沟道 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动、LED 驱动、DC-DC 转换器等领域。P 沟道 MOSFET 主要用于一些特定的应用场景，如高边开关（High-Side Switch）或电平转换电路。

由于 N 沟道 MOSFET 性能更好、成本更低，市场需求更大。P 沟道 MOSFET 的需求相对较小，因此制造商更倾向于生产 N 沟道 MOSFET。

在低边开关电路中，N 沟道 MOSFET 可以直接驱动，电路设计简单。在高边开关电路中，虽然 N 沟道 MOSFET 需要额外的驱动电路（如电荷泵或自举电路），但其性能优势仍然使其成为首选

其实还是与造价成本有关系的

PMOS与NMOS主要是制造工艺上的区别，工艺不同价格自然也是不一样的

开关速度，N 沟道 MOSFET 的开关速度更快，适合高频开关应用

ewyu 发表于 2025-1-21 20:08
开关速度，N 沟道 MOSFET 的开关速度更快，适合高频开关应用（如开关电源、DC-DC 转换器等）。 ...

有相关依据嘛？不明白为什么