芯圣MOS管的技术优势

• 低导通电阻（R_DS(on)）
  • 减少导通损耗，提升整体效率；
  • 支持更小封装而无需牺牲性能，利于电源小型化。
    
    
• 低栅极电荷（Q_g）
  • 降低驱动损耗，提升高频开关效率；
  • 减少交叉导通风险，提升系统稳定性。
    
    
• 快恢复体二极管
  • 抑制反向恢复损耗，降低EMI；
  • 提升Boost和同步整流应用中的回扫效率。
    
    
• 耐压高、热阻低
  
  
  • 可承受高压应力，适用于宽输入范围设计；
  • 优化封装技术（如DFN、PDFN），散热更高效。