如何在一个IO寄存器中同时清空和置位2个不同的位

我想在一个IO寄存器中同时清空和置位2个不同的位,该怎么做?
以前是这样搞的
        PORTA|=(1<<PA0);
        PORTA&=~(1<<PA1);
如何才能合并成一句?

    按PORTA|=(1<<PA0);的意识是将0B00000001左移“PA0”位（应该是0），得到“0B00000001”，再和A口寄存器“或”，结果是将A口的0位置1了。若写为PORTA|=(1<<PA0)|(1<<PA1);结果应该是将A口的“0”位和“1”位同时置“1”，多位类推。我也是才学哈，不对请高人指点。

只有一个办法：
uint8_t temp = PORTA;
temp |= 1 << PA0;
temp &= ~(1 << PA1);
PORTA = temp;

这样能做到同时改变 PA0 和 PA1 的电平，但整体效率比楼主的方法要慢些。

PORTA=(PORTA&~(1<<PA1))|(1<<PA0));

PORTA=_BV(PA0)|_BV(PA1);
DDRA=_BV(PA0)|_BV(PA1);

如果在实现同时置高或同时置低的话，那么用4楼的方法就挺好了。

如果又置高又置低，那还是用1楼的方法简单直观。

5楼的方法非常科学，应该是位高手。（欢迎来AVR论坛）

5楼的方法非常科学，应该是位高手。（欢迎来AVR论坛）
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5楼的方法，当使能中断，且中断中有修改PA口的操作，则存在一定的隐患：

uint8_t temp = PORTA;  //0
temp |= 1 << PA0;      //1
temp &= ~(1 << PA1);   //2
PORTA = temp;          //3

可以想象，如果在执行完//0后，如果恰巧有中断执行了，修改PA2-PA7的电平，中断返回后，此改变后的电平将得不到保存！

如果在SIGNAL型中断中执行以上代码，则无需考虑这个问题！

ATMEL的一段程序中是这样处理既置一些位又清零一些位的：
TCCR1B = (0<<WGM13)|(0<<WGM12)|(0<<CS12)|(1<<CS11)|(0<<CS10);
都是位操作，I/O寄存器也应一样。