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[STM32L0] 用L0跑EEPROM模拟写入，写几次就卡死了

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 楼主| 周半梅 发表于 2025-5-19 07:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
EEPROM, EPROM, ROM, 模拟
看着官方例程抄的，循环写几轮之后程序直接停住，也没错误提示，不太好排查。
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Clyde011 发表于 2025-5-19 07:28 | 显示全部楼层
有没有可能是中断打断了写流程？
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公羊子丹 发表于 2025-5-19 07:29 | 显示全部楼层
我以前写多了直接进HardFault。
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 楼主| 周半梅 发表于 2025-5-19 07:30 | 显示全部楼层
Flash写入前要先解锁！
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帛灿灿 发表于 2025-5-19 07:31 | 显示全部楼层
模拟EEPROM真挺麻烦的。
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童雨竹 发表于 2025-5-19 07:32 | 显示全部楼层
写之前得判断busy位有没有清。
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万图 发表于 2025-5-19 07:33 | 显示全部楼层
有没有定时写入，别一直改数据。
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Wordsworth 发表于 2025-5-19 07:33 | 显示全部楼层
Flash sector擦除周期也别太频繁。
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Bblythe 发表于 2025-5-19 07:34 | 显示全部楼层
写前不擦除会失败。
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Pulitzer 发表于 2025-5-19 07:35 | 显示全部楼层
建议加个缓存写保护。
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Uriah 发表于 2025-5-19 07:36 | 显示全部楼层
我加了CRC判断，写失败就跳过了。
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averyleigh 发表于 2025-5-21 15:49 | 显示全部楼层
STM32的Flash可能被设置了写保护，需要使用特定的工具或命令来解除写保护。
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saservice 发表于 2025-5-21 15:53 | 显示全部楼层
STM32的Flash编程和擦除操作是分开的，需要先擦除再编程。
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powerantone 发表于 2025-5-21 16:08 | 显示全部楼层
未屏蔽中断导致冲突?
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sesefadou 发表于 2025-5-21 16:39 | 显示全部楼层
在多页中冗余存储关键数据，提高可靠性。
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stormwind123 发表于 2025-5-21 17:03 | 显示全部楼层
地址未正确对齐，可能引发写入错误或卡死。
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kmzuaz 发表于 2025-5-21 17:45 | 显示全部楼层
在进行Flash操作期间禁用全局中断，防止其他中断打断当前操作。
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probedog 发表于 2025-5-21 18:00 | 显示全部楼层
在多任务或中断环境下，直接操作EEPROM可能导致竞争条件，进而引发卡死。
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maqianqu 发表于 2025-5-21 18:16 | 显示全部楼层
电源不稳定或时钟配置错误也可能导致Flash操作失败
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classroom 发表于 2025-5-21 19:00 | 显示全部楼层
在写入EEPROM时屏蔽中断...
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