【应用笔记】STM32MP151/153/157 MPU 系列和 STPMIC1 集成在电池供电型应用中

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本应用笔记适用于 STM32MP151/153/157 MPU 系列器件，现在被称为 STM32MP15x。面向该应用的 STPMIC1 器件是STPMIC1BPQR。 本应用笔记提供一个基于 STM32MP15x 和 STPMIC1BPQR 电源管理 IC 的硬件参考设计示例，由单体锂离子/锂聚合物电池供电。

壁式适配器供电电池应用参考设计
该参考设计的目标应用由可重复充电的电池主电源适配器供电，配有低功耗lpDDR2或DDR3L、一个eMMC、一个 SD-card、一个 USB HS 双重功能数据端口（也称为 OTG）、一个启动 flash（eMMC、NAND 或NOR），以及一个 SD-card 和两个 USB 2.0 HS 主机端口。为了详细介绍应用，还添加了其他外设（如音频设备、显示设备、无线器件、MEMS 等）。

USB HS 双重功能数据端口也用作电源，为电池充电。电池电量计监测电池的能量水平。为了详细介绍应用，还添加了音频设备、显示设备、Wi‑Fi®/蓝牙®传感器等其他外设。

主外设接口的 I/O 电压是 1.8 V。整个系统如图 1 中所示。

图 1. STM32MP15x 和 STPMIC1BPQR（带 lpDDR2/3、eMMC、SD-card 和 USB DR）

注： 以下内容不在图中显示：

• STM32MP15x 解耦方案（参见[1]相关章节），
• STPMIC1BPQR 分立元件值（参见[2]),
• 额外的保护，如 ESD、EMI 滤波、过电压等保护措施。
  

4.1 电池作为主电源
该应用由可充电的单体 3.6 V 标称电压锂离子或锂聚合物电池组（VBAT）供电，电压范围为 2.8 V - 4.3 V。
图 1 中参考设计的电池容量取决于应用用例和外设功耗。例如，假设使用 500 mAh – 1000 mAh 电池组。


警告：
在本文档中，STM32MP15x VBAT 引脚（用于 RTC/TAMP 供电）不能与为应用供电的电池电压域 VBAT 混淆。

电池组用作主电源（VBAT），为 STPMIC1BPQR 供电。STPMIC1BPQR 拥有所需的全部电源转换器，可为整个应用供电。

电池电压（VBAT）通过两个 STPMIC1BPQR 阈值进行监控：

• VINOK_rise：防止 STPMIC1BPQR 在电池电压（VBAT）过低时启动。STPMIC1BPQR VINOK_rise
  

阈值= 3.3 V 标称电压。

• VINOK_fall：强制 STPMIC1BPQR 断电，防止电池完全放电（电量耗尽）。STPMIC1BPQR VINOK_fall 阈值 = 2.8 V 标称电压。
  

VINOK_rise 和 VINOK_fall 阈值可以调整，方法是通过 I2C 对 STPMIC1BPQR NVM 重新编程。

STC3115 燃油表监测电池电压，并作为电流传感器，以准确估计剩余的电池电量水平。此外，如果电池组的位置靠近 STC3115，STC3115 还可以监测电池温度。

电池充电过程由一个分立式电池充电器 IC 管理。充电能量由 USB 连接器（Type Micro-AB 或 Micro-B）提供。充电器 IC 将 USB 电压（VBUS）转换为电池电压（VBAT）。

4.2 功率分配
STPMIC1BPQR 集成了用于所有 STM32MP15x 供电的稳压器，以及一组为应用外设供电的稳压器。

4.2.1 VDD 电源域（1.8 V）
VDD 是参考设计主 I/O 电压域，用于 STM32MP15x、STPMIC1BPQR 和外设。
它由 STPMIC1BPQR BUCK 3 降压 SMPS 供电，后者在所有负载条件下均具有高效率和低静态电流。
VDD 电压域是上电时序过程中第一个可用电压（STPMIC1BPQRRank1），是下电时序过程中最后一个被禁用的。
VDD 在运行模式、LP-stop 模式、LPLV-stop 模式，以及待机模式下均被启用。VDD 在关闭模式下被禁用。
STPMIC1BPQR 在 STPMIC1BPQR 上电过程中，通过专用 NVM 设置将 BUCK 3（I/O）设为 1.8 V，以符合图 1 中的电池参考设计。详细信息，请参见[2]。

STM32MP15x VDD 电源：
除了为 STM32MP1 系列微处理器 VDD I/O 电压域供电，将 VDD_PLL、VDD_ANA、VDD_DSI 和VDDA1V8_DSI 连接到 VDD。
ADC/DAC 模拟电压（VDDA）和相关模拟参考电压（VREF+）可以由 VDD 供电，具体取决于预期的 ADC性能。如果期待较高的 ADC 性能或确保 DAC 正常工作，可使用电压高于 1.8 V 的低噪声电源为 VDDA（和VREF+）供电。在这种情况下，STPMIC1BPQR LDO 可以专门用于为 STM32MP15x VDDA 电压域供电。

4.2.2 VDDCORE 电源域（1.2 V/1.35 V）
VDDCORE 是主 STM32MP15x 数字电源域。
它 由 STPMIC1BPQRBUCK1 降 压 SMPS 供电。该电压域是在上电时序中可用的第二个电源域（STPMIC1BPQRRank2），也是断电过程中倒数第二个要被禁用的。
VDDCORE 在运行模式、LP-Stop 模式，以及 LPLV-Stop 模式下均被启用。VDDCORE 电压在 LPLV-stop
模式下会降低，以节约电源。VDDCORE 在待机和关闭模式下被禁用。
STPMIC1BPQR 通过 NVM 设置将 BUCK1（VDDCORE）配置为 1.2 V（当 STPMIC1BPQR 上电后）。
STM32MP15xD 和 STM32MP15xF 器件具有增强的用户任务概述（参见[8]）。该配置文件允许 Arm®双Cortex®-A7 CPU 时钟频率最高可达 800 Mhz（参见[6]了解详细信息和限制）。
相应地，当 CPU 的工作频率（Fmpuss_ck）达到 800 MHz 时，VDDCORE 电压必须提高到 1.35 V。当其不在 800 MHz 的运行模式下运行时，VDDCORE 电压必须设置回其标称电压（1.2 V 典型值）。

4.2.3 VDD_USB 电源域（3.3 V）
VDD_USB 专门用于为 STM32MP15x USB PHY 供电（VDD3V3_USBHS 和 VDD3V3_USBFS）。
它由 STPMIC1BPQR LDO4 线性稳压器供电，后者专为此功能而设计。
LDO4 配一个三路电源复用器，可以自动选择最高输入电压。其设计目的是让 STM32MP15xUSB PHY 在以下用例中工作：

• USB 内嵌主机具有低电池电压（VBAT ≤ 3.3 V）：有 USB 外设（如大容量存储设备）连接到应用，由STPMIC1BPQR 升压转换器通过 PWR_USB_SW 提供 VBUS_DR（5.2 V）电源（参见图 1）。在这种情况下，LDO4 不能从电池生成 3.3 V 的 VDD_USB，因为 VBAT 低于 3.3 V。LDO4 输入电源多路复用器自动将BSTOUT（BOOST转换器提供5.2 V电压）设为LDO4输入电源，以生成3.3 V的VDD_USB。
  

注意 为了举例说明，忽略 LDO4 电压下降。

• USB 外设（设备）带低电池电压（VBAT <= 3.3 V）：有 USB 主机（如来自 PC 的标准下行端口）连接到应用，提供 VBUS（5 V）到 VBUS_DR（参见图 1）。LDO4 不能从电池生成 3.3 V 的 VDD_USB，因为 VBAT 低于 3.3 V。LDO4 输入电源多路复用器自动将 VBUSOTG（来自 VBUS_DR）设为 LDO4输入电源（5 V），以生成 3.3 V 的 VDD_USB。
  

STPMIC1BPQR LDO4 多路复用器的电源可以是：VBAT（通过 VIN 引脚）、升压转换器（通过 BSTOUT 引
脚），以及 VBUS_DR（通过 VBUSOTG 引脚）。
该电压域是上电时序期间最后一个可用的域（STPMIC1BPQR Rank 3），也是下电时序期间第一个被禁用的域（除了被软件启用的稳压器是在 LDO4 之前被禁用Rank 0。详细信息，请参见[2]）。
如果一个 USB 外设连接到应用，VDD_USB 可以在运行模式、LP-stop 模式，或 LPLV-stop 模式下被启用。
如果没有连接 USB 外设，它可以被禁用。VDD_USB 在待机模式和关闭模式下被禁用。
STPMIC1BPQR 通过 NVM 将 LDO4（VDD_USB）设为 3.3 V（当 STPMIC1BPQR 上电后）。上电时需要LDO4（VDD_USB）为 USB PHY 供电，用于 USB 刷写用例（STM32MP15x 外设从 ROM 启动）。
为了在上电时节约电源，对 STPMIC1BPQR NVM 重新编程，以便自动启用 LDO4（仅当 VBUS 在上电时存在于 VBUS_DR 之上时）。

4.2.4 VDD1_DDR（1.8 V）、VDD2_DDR（1.2 V）、VREF_DDR（0.6 V）电源域

• VDD1_DDR 以 1.8 V 电压专门为 lpDDR2 或 lpDDR3 内核电源 1（VDD1）供电。
• VDD2_DDR 以 1.2 V 电压专门为 lpDDR2 或 lpDDR3 内核电源 2（VDD2/VDDQ/VDDCA），以及STM32MP15x DDR I/O 电源（VDDQ_DDR）供电。
  

• VREF_DDR 以 VDD2_DDR/2（0.6 V）电压专门为 lpDDR2 或 lpDDR3 参考电压（VREFQ/VREFCA）和 STM32MP15x DDR 参考电压（DDR_VREF）供电。
  

• VDD1_DDR（1.8 V）由 STPMIC1BPQR LDO3 供电。为了优化电源效率，LDO3 由 VDD（LDO3IN = VDD = 1.8 V）供电。LDO3 被设计成也支持旁路模式（例如，电源开关），以较低的 RDSon 适应lpDDR2/lpDDR3 VDD1 电压公差。这同时考虑了 BUCK3（VDD）电压公差和 LDO3 RDSon 公差，以适应 lpDDR 的 VDD1。
• VDD2_DDR（1.2 V）由 STPMIC1BPQR BUCK2 降压 SMPS 供电，后者在所有负载条件下均具有高效率和低静态电流。BUCK2 由电池电压（VBAT）供电。
• VREF_DDR（0.6 V）由 STPMIC1BPQR REFDDR 受电/供电 LDO 供电。启用之后，REFDDR 输出电压等于 VDD2_DDR/2（BUCK2 输出电压/2）。
  

STPMIC1BPQR 不会在上电时启动 VDD1_DDR、VDD2_DDR 和 VREF_DDR。在 STM32MP15x 启动和关断时，它们必须由 STM32MP15x 软件控制上电和下电。

软件 lpDDR2/lpDDR3 上电时序：

上电之后，当STM32MP15x启动时，其软件必须按以下顺序启用VDD1_DDR、VDD2_DDR和VREF_DDR电压域，以符合 lpDDR2/lpDDR3 上电时序（参见 JESD209-2B 第 3.4 章节或最新 JEDEC 版本）：
1. 在旁路模式下启用 LDO3：VDD1_DDR 在大约 100 µs 时间内上升到 1.8 V（= VDD 电压）。
2. 100 µs 之后，启用 REFDDR LDO：VREF_DDR 电压保持在 0 V（BUCK2 被禁用）。
3. 将 BUCK2 设为 1.2 V，且启用 BUCK2。
限制条件是步骤 1 到步骤 3 必须在 20 ms 之内执行，以符合 lpDDR2/lpDDR3 JEDEC 约束。

软件 lpDDR2/lpDDR3 下电时序：
在 STM32MP15x 软件进入关闭模式或待机模式（假设软件策略是在待机模式下关闭 DDR）之前，STM32MP15x 软件必须以以下顺序管理 lpDDR2/lpDDR3 下电：
1. 软件接收事件，然后进入关闭或待机模式。
2. 将 lpDDR CKE 置为低电平。
3. 禁用 BUCK2：
a. VDD2_DDR 在 1.5 ms 之内下降（由于 BUCK2 慢速下拉放电电阻）。
b. VREF_DDR 电压紧随 VDD2_DDR/2（REFDDR 是推-挽 LDO）。
4. 等待 1.5 ms，禁用 REFDDR（VREF_DDR 已经是 0 V，因为电压在之前的步骤已经下降）。
5. 禁用 LDO3：VDD1_DDR 在 3 ms 之内下降（得益于 LDO3 的下拉放电电阻）。
限制条件是步骤 3 到步骤 5 必须在 20 ms 之内执行，以符合 lpDDR2/lpDDR3 JEDEC 约束。

lpDDR2/lpDDR3 非受控断电时序：
非受控断电时序通常在电池电压移除或复位时出现。在这样的情况下，STPMIC1BPQR 管理断电时序：
1. 电池被移除，VBAT 下降。
2. VBAT 超过 VINOK_fall：STPMIC1BPQR 关闭条件。
3. STPMIC1BPQR 启动断电时序：
a. STPMIC1BPQR 确认复位（ NRST ） →STM32MP15x 确 认 DDR_CKE 引脚未低电平且DDR_CLKP/DDR_CLKN 时钟信号已停止。
只要 STPMIC1BPQR 确认 NRST，复位信号传播到 STM32MP15x：DDR_CKE 被设为低电平，DDR_CKP 和 DDR_CKN 已停止：lpDDR IC 功耗立刻下降。
b. STPMIC1BPQR 禁用 Rank0 稳压器：BUCK2、LDO3 和 REFDDR：
i. 在 BUCK2、LDO3、REFDDR 上设置下拉放电电阻。
ii. VDD1_DDR、VDD2_DDR、VREF_DDR 电压下降。VDD2_DDR 下降速度更快，因为下拉放电电阻大于 VDD1_DDR 和 VREF_DDR。BUCK2、LDO3 和 REFDDR 在复位之后由 STPMIC1BPQR 立刻禁用（Rank0），因为这些稳压器是在上电之后最后（通过软件）启用的。详细信息，请参见[2]。
4. STPMIC1BPQR 先禁用 Rank3，然后是 Rank2，最后是 Rank1 稳压器（参见[2]获取详细信息）
5. STPMIC1BPQR 关闭（或者无电源）。
参见第 5.2.3 节获取详细信息和限制条件。

4.2.5 VDD_eMMC 电源域（2.9 V）
VDD_eMMC 专门为 eMMC Flash 存储器内核域供电（VCC）。eMMC Flash 存储设备也必须由 VDD 电压供电，以变为其 I/O 电源域（VCCQ）供电。
CLK、CMD 和 D0 必须在 VDD 上放置上拉电阻，以避免当 VDD_eMMC 关闭时 VDDQ 上出现额外的 eMMC功耗。
VDD_eMMC 由 STPMIC1BPQR LDO2 线性稳压器供电。该电压域是在上电时序中第二个要启用的域（STPMIC1BPQRRank2），也是断电过程中倒数第二个要被禁用的域。
如果 STM32MP15x 软件需要读写访问，VDD_eMMC 在运行、LP-stop 和 LPLV-stop 模式下被启用。如果不期望进行读/写访问，软件必须禁用 VDD_eMMCVDD_eMMC 在待机模式和关闭模式下被禁用。
STPMIC1BPQR 通过 NVM 将 LDO2（VDD_eMMC）设为 2.9 V（当 STPMIC1BPQR 上电后）。在上电时需要 LDO2（VDD_eMMC）为 eMMC Flash 设备供电，允许 STM32MP15x 从 ROM 启动时访问该内存。
VDD_eMMC 可以由应用软件在运行时打开或关闭。
如果eMMC设备是启动Flash外设，在应用进入待机模式之前，应用软件必须对STPMIC1BPQR进行编程，以便在待机模式（PWR_ON 信号低电平）关闭 eMMC，在运行模式（PWR_ON 信号高电平）对 eMMC 通电。在这种情况下，当应用程序从待机模式恢复到运行模式时，eMMC 上电并准备接受 STM32MP15x 启动ROM（外设启动）的访问。

4.2.6 VDD_SD 电源域（2.9 V）
VDD_SD 专门为 SD-card 设备和 SD-card 电平转换器（VSUPPLY）供电。SD-card 电平转换器设备也可以从 VDD 电压获得电源，为其 I/O 电源域（VCCA）供电。
它由 STPMIC1B LDO5 线性稳压器供电。
该电压域是在上电时序中第二个要启用的域（STPMIC1BPQR Rank2），也是断电过程中倒数第二个要被禁用的域。
VDD_SD 由软件管理，可以在运行时开启或关闭。
STPMIC1B 通过 NVM 设置将 LDO5（VDD_SD）设为 2.9 V（当 STPMIC1B 上电后）。在上电时需要 LDO5（VDD_SD）为 SD-card 及其电平转换器 IC 供电，允许 STM32MP15x 从 ROM 启动时访问该内存。
VDD_SD 可以由应用软件在运行时打开或关闭。
如果 SD-card 设备是启动 Flash 外设，在应用进入待机模式之前，应用软件必须对 STPMIC1B 进行编程，以便在待机模式（PWR_ON 信号低电平）下关闭 SD-card，在运行模式（PWR_ON 信号高电平）对 SD-card通电。在这种情况下，当应用程序从待机模式恢复到运行模式时，SD-card 上电并准备接受 STM32MP15x启动 ROM（外设启动）的访问。

4.2.7 VBUS_DR 电源域（5 V）
VBUS_DR 是 USB 高速接口的专用电源域。VBUS_DR 连接到 USB 插座的 VBUS 引脚，并具有双向电流：

• 应用处于 USB 设备模式：USB 主机外设连接到应用，并为应用提供 VBUS_DR 电压（参见图 2）。
• 应用处于 USB 主机模式：USB 设备外设连接到应用，并从应用获得 VBUS_DR 电压（参见图 3）。
  

图 2. USB 设备模式下的 VBUS_DR 电源路径


图 3. USB 主机模式下的 VBUS_DRD 电源路径


4.2.8 VDD_AUDIO（1.8 V）、VDD_LCD（2.8 V）电源域
提供 VDD_AUDIO 和 VDD_LCD，用于演示图 1 中的参考设计。它们分别由 LDO1 和 LDO6 线性稳压器供电。
在上电时，VDD_AUDIO 和 VDD_LCD 不由 STPMIC1BPQR 启用。如果相关外设需要它们，则在上电后由软件启用并设为正确的电压值。
VDD_AUDIO 和 VDD_LCD 由软件管理，可以在运行时开启或关闭。在待机模式和关闭模式下，VDD_AUDIO 和 VDD_LCD 被禁用。

4.3 控制信号与接口，用于连接 STM32MP157 和 STPMIC1BPQR
本节概述 STM32MP157 微处理器与 STPMIC1BPQR 设备的通信方式。有多个接口可供选择，具体取决于应用需求。本文档的第一部分对每个接口进行了描述。
I2C 接口：
STPMIC1BPQR 可以由 STM32MP15x 通过 I²C 接口进行控制，以便：

• 启用或禁用调节器
• 设置调节器电压和模式（低功耗或高功率）
• 设置低功耗管理（PWRCTRL 行为）
• 设置中断控制器或读取中断状态
• 设置保护（看门狗、过电流、欠压）或读取保护状态。
• 对 NVM 重新编程，以更改启动行为。
  

STPMIC1BPQR 具有特殊的默认 NVM 设置，允许以来自 USB 接口（用于刷写或加载，然后执行软件）、SD-card 或 Flash 存储器（比如 eMMC）的 1.8 V I/O 启动 STM32MP15x 应用程序。一旦 STM32MP15x 能够执行软件，它也能够对 STPMIC1BPQR NVM 进行动态重新编程，以便对应用程序进行微调。

ON/INT 按钮：
“ON/INT”用户按钮连接到 STPMIC1BPQR PONKEYn 引脚（低电平有效）。该按钮允许：

• 上电 STPMIC1BPQR。
• 当应用程序运行时，就按钮按下事件或按钮释放事件发送中断给 STM32MP15x。
• 长按（默认为 16s）以强制关闭 STPMIC1BPQR。
  

NRST 信号：
NRST 是双向低电平有效的信号，用于 STM32MP15x 和 STPMIC1BPQR。STM32MP15x NRST 引脚和
STPMIC1BPQR RSTn 引脚采用数字输入/开-漏输出拓扑：

• 当 STPMIC1BPQR 将 RSTn 置为有效后（例如在上电或下电时序期间），它将 NRST 信号驱动为低电平：STM32MP15x 被强制进入复位状态，直至 STPMIC1BPQR 释放 NRST。
  

• 当 STM32MP15x 将 NRST 信号（例如 STM32MP15x 看门狗复位）置为有效，或用户按下“复位”按钮，STPMIC1BPQR 立即将 RSTn 引脚置为有效并执行不可中断的电源循环：STPMIC1BPQR 执行下电时序，然后是上电时序，最后释放 RSTn。在断电重启时序的最后，STPMIC1BPQR 等待 NRST 信号在重新复位之前变为高电平，避免无限的复位循环。
  

INTn 信号：
INTn 是一个 STPMIC1BPQR 输出低电平有效中断线，连接到 STM32MP15x PA0 输入引脚。PA0 兼具中断和唤醒能力：

• 当 STM32MP15x 处于运行模式或停止模式时，管理来自 STPMIC1BPQR 的中断。
• 当 STM32MP15x 处于待机模式时，将其唤醒。
  

PWR_ON 信号：
PWR_ON 信号由 STM32MP15x PWR_ON 引脚驱动，用于控制 STPMIC1BPQR PWRCTRL 引脚。如此一来，STM32MP15x 便能非常快速地将 STPMIC1BPQR 电源策略切换到以下应用程序功耗模式之一：

• 从运行模式切换到 LPLV_Stop 模式，以及切换回原有模式
• 从运行模式切换到待机模式，以及切换回原有模式。
  

（参见[3]详细了解使用 STPMIC1BPQR 时的低功耗模式管理和 PWR_ON 引脚设置）

上电或复位之后，STPMIC1BPQR PWRCTRL 引脚被禁用。在进入低功耗模式之前，STM32MP15x 通过I²C 设置 STPMIC1BPQR，根据 PWR_ON 信号状态对预期的电源行为进行编程。

EADLY 定时器
EADLY 定时器防止启动 ROM 在准备就绪之前对启动外设执行任何访问。等待 Flash 存储器（eMMC 或 SD卡）上的电压稳定下来，确保启动软件被启动 ROM 可靠地读取。复位之后的默认延迟时间是 10 ms（参见[5]获取详细信息）。

POPL 定时器
STM32MP15x POPL 定时器允许 STM32MP15x 保持在待机状态，并在最短持续时间内将 PWR_ON 信号置为低电平，允许外设稳压器在重新启动之前停止。这是为了确保在应用程序进入待机状态后发生唤醒事件时，外设能够正确重启。STPMIC1BPQR 为每个稳压器输出配一个放电电阻，允许所有稳压器输出电压在 3 ms时间内放电。所以，POPL 可以设为 3 ms 最小值，或者保持默认值（10 ms），前提是不必重点关注待机状态唤醒的持续时间。

唤醒信号（可选）：
唤醒信号由 STM32MP15x PC13（RTC_OUT）引脚驱动，用于控制 STPMIC1BPQR 唤醒引脚。它允许STM32MP15x 为 STPMIC1BPQR 上电；通常，在实时时钟定时器结束时。
如果纽扣电池连接到 STM32MP15xVBAT 引脚，则该功能可用。

4.3.1 采用可移除电池组的应用中的唤醒引脚管理
如果纽扣电池连接到 STM32MP1 系列微处理器 VBAT 引脚，而产品由可移动电池组供电，则必须实现图 4中描述的电路图。
图 4. 可移除电池组应用的唤醒引脚控制电路

图 4 中的电路将 STM32MP1 系列微处理器 PC13 IO 电压与 STPMIC1BPQR 唤醒引脚分隔。这样可以防止STM32MP1 系列微处理器 PC13 IO 在以下情况发生电流泄漏：

• 通过 STPMIC1BPQR 唤醒引脚将 PC13 设为 STPMIC1BPQR VIN。
• 电池组被移除。
• VBAT 电压低于 PC13 电压。
  

当使用该电路实现时（参见图 4），STM32MP1 系列微处理器 PC13 必须设置为开漏低电平有效 I/O。必须选择 P-MOSFET，以实现低于 1.8 V（低于 VINTLDO）的最小 Vgs 阈值。P-MOSFET 能够维持大于 40 µA的漏极电流（ID）来驱动唤醒引脚。

注意 STPMIC1BPQR 唤醒引脚拥有内部下拉电阻器（45KΩ < Rpd < 80 KΩ），内部连接到 GND。


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2025-6-24 18:12 上传

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很棒的应用笔记，收藏一份。

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