APM32E103的Flash编程步骤疑问

极海工业级MCU，基于Cortex-M3内核的APM32E103系列MCU性价比相当之高。基于55nm制程的优势还是非常明显。在学习APM32E103的时候看到SDK在IAP的例程，擦写和编程Flash还是挺方便的，我这里还是有些疑问？
我看公司之前的IAP代码，第一步是要将程序运行到SRAM，然后再进行升级操作，如擦除Flash，编程flash。
这是为什么啊？

我们也是把代码运行SRAM中，再擦除Flash。
感觉有点浪费SRAM空间。我们将其独立出来了，正常应用跑起来的时候这块RAM空间也不使用。

无所谓吧！
只要不在擦除的时候读取正在操作的flash页应该就没有事情吧！

FrostShimmer 发表于 2025-6-29 16:53
无所谓吧！
只要不在擦除的时候读取正在操作的flash页应该就没有事情吧！

明白了。
谢谢大佬的回复。

客气了。
我们的项目这么设计一直没有出现过问题

将程序运行到SRAM的原因是为了保证在Flash更新过程中，当前运行的程序不会受到影响。这样可以避免在更新过程中发生程序中断或崩溃的情况。

星空魔法师 发表于 2025-7-24 16:32
将程序运行到SRAM的原因是为了保证在Flash更新过程中，当前运行的程序不会受到影响。这样可以避免在更新过 ...

明白了。
谢谢大佬指点

将程序运行到SRAM的原因是，MCU在执行Flash编程操作时，不能同时运行Flash中的代码。因此，将代码临时运行在SRAM中，可以保证在Flash擦写和编程过程中，MCU能够正常工作。