[技术讨论] 关于multism仿真mos动态调节的一些疑问

[复制链接]
 楼主| fujei 发表于 2025-7-19 13:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 fujei 于 2025-7-19 13:59 编辑

如下图,这个电路的右侧的电路,是上端24V,接4个LD,再往下有mos以及采样电阻。通过采样电阻采集的电压,经过两个运放,与单片机给的DRV_LD+信号,进行比较。与DRV_LD+之间的差值越大,mos导通的越彻底,也即导致了电流变大,使得采集的电压变大,从而使得与DRV_LD+之间的差值变小,从而使得电流变小,因此使得mos产生了可调电阻的作用。
C:\Users\dell\Desktop\1.png
而目前我想利用multism仿真一下,但是不清楚multism中是否具备这样的可调电阻动态调节的功能。而且对于4个LD处的电路不知道该做什么样的仿真构建,所以希望大神们可以不吝赐教,在此感谢。
下面是我做的multism仿真
C:\Users\dell\Desktop\2.png
1.png (105.14 KB )

[url=][/url]
2.png (42.78 KB )

[url=][/url]
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

33

主题

33

帖子

0

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部