STM32F40x/STM32F41x微控制器中的EEPROM模拟（AN3969应用笔记）

从此官网下载的示例，无法直接用于STM32CubeIDE。

奇怪的是，当前函数不再包含错误控制。

例如

FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange)

来自STM32CubeIDE2017年的代码，文件：stm32f4xx_hal_flash_ex.c：FLASH状态

void FLASH_Erase_Sector(uint32_t Sector, uint8_t VoltageRange)
在比较代码时，我意识到代码量出现了大幅缩减，是否有必要放弃原先存在的错误代码？

我也用过 AN3969，感觉这个例程确实有点老，很多 HAL API 都更新过了。

现在 HAL 库里确实把 FLASH_Status 改掉了，错误处理都用 HAL_OK、HAL_ERROR 了。

其实 FLASH_Erase_Sector 返回值是 HAL_StatusTypeDef，比原来灵活点。

如果你要做稳健点，最好在调用 HAL 函数后自己判断 HAL_StatusTypeDef。

我觉得老例程里的错误检测可以参考一下，自己补到新版 HAL API 外面去也行。

CubeIDE 新项目生成的 HAL_FLASH 已经默认没有老 FLASH_Status 枚举了。

其实模拟 EEPROM 最重要还是要做好写次数均衡，错误码倒是其次。

如果追求健壮性，可以自己封装一层擦除和写的返回值，再加重试逻辑。

AN3969 那套状态检查就是给 SPL 写的，放 HAL 里直接用会冲突。

我觉得不用完全照搬，关键是理解那套思路，然后用 HAL 里新的 API 来实现就好。