关于三极管放大电路的设计要点，小弟整理了下，求指点。

是这样的，三极管这章，我看了《模拟电路》，《电子学》，《晶体管电路设计》，总算时候搞明白了一二，于是小弟去看运放了，有两个月没看，前几天想用三极管搞个放大电路，突然发现我还是不会！:L 不知道怎么用的，于是小弟痛下狠心，想了一下，靠脑袋记是不行滴，于是小弟便想着吧整理一下，于是我便开始从头学起，并开始整理了一下，这是第一步，我整理了一个共射极50倍的放大电路，各种参数的计算方式，选值要点，

还往各位高手，同行们不吝赐教。共同讨论，共同进步，如果各位喜欢的话，我就把接下来整理的文档全发上来一起讨论。

本电路输入为0.1V 50Hz.输出为5V 50Hz
放大了50倍。
使用基本条件。（NPN型）
A．集电极电位必须要高于发射极电位。
B．集电极反偏，发射极正偏。
满足以上条件则Ic≈(hfe)Ib
注意事项
C．其输出电压相位，为输入电压相位的反相，即180°。
D．使用时应该注意不要超过器件的规定值，Vce,Pc,和Vbe，等等参数。
E．其发射极有本征电阻，re= 25 / Ic(mA),单位是欧姆，其中25为温度，当发射极电阻非常小时，应该特别注意！
F．发射极间压降（在此设为0.6V），有-2.5mV/℃的变化。
确定Vcc
由于输出为5V(平均值)，则VCC应该选择为
Vcc=5*2√2=14.1V，则电源电压必须高于此电压1～2V（防止波形变形，并且减小电源波动对电路产生的影响），在此电源选择为20V（为了好算）。
Vcc=20V
确定R1和R2。
因为基极电流为集电极电流的1/hfe，假设hfe为200，则基极电流为0.005mA,有必要在R1和R2上流过比基极大的多的电流，使得基极电流能忽略，Ib在此取0.1mA（大的多=10倍

就可以了）。
Vb在此取2.6V（理由见f）
则R1=(20-2.6)/0.1mA=174k
   R2=2.6/0.1mA=26k
确定Rc和Re。
为了吸收基极-发射极间电压Vbe随温度的变化，Re的直流流压降必须在1V以上而使工作点（集电极电流）稳定，在此取2V（理由见F）。Ie=1mA（只要不超过Ie的最大额定值，多少都没有关系，但是大了，静态功耗也上去了。）;
则：
Re=Ve/Ie=2V/1mA=2k； （Ve=Vb-Vbe=2.6V-0.6V=2V）

Vc的电位最好设定在Vcc与Ve的中点（如果Rc太大，Vc靠近Ve易削去波形下侧，如果太小，Vc靠近Vcc会削去上侧；在最大振幅时波形被削，则有必要调整Ve或则Ic的设定，从新求出Rc和Re）；Vc在此取10V；
则：
Rc=10V/1mA=10k(Ic≈Ie)
以上是设置其静态直流工作点。
决定其交流放大倍数的是R3和C3和本征电阻re；
由输出可知信号放大了50倍；
则：
Rc(R3+C3+re)=50:1;
R3+C3+re=Rc/50=200R（欧姆）;
Re=25R（欧姆）;
C3=1/2*3.14*40Hz*200uF=20R（欧姆）
R3=200-25-20≈160R（欧姆）
确定C1
C1和R1-2（R1,R2是并联关系，）形成高通滤波器，如果取值很小时难以通过低频，在此取
C1=10uF;
Fc=1/2*3.14*10uF*22.6k≈0.7Hz
确定C2
C2与负载形成高通滤波器，会因为输出端接有不同的负载而发生变化，所以使用时要预先考虑下接什么负载。
在此假设负载为30K。
C2=10uF；
输入阻抗：
此输入阻抗是R1与R2的并联值22.6k？？？
输出阻抗：
输出阻抗即是集电极电阻的本身值10k？？？
Vce=Vcc-Ic*Rc-Ie*Re=20V-10V-2V=8V;

Pc=Vce*Ic=8V*1mA=8mW

着是仿真图，红色是放大后的波形，绿色是信号源。

为何大家只看不说呢。说说看，小弟也不知道整理的对不对，有错误的地方望望大家给指出。不胜感激。

等我改好了，如果有兄弟愿意要我就给传上来。。

还行，但不是很好的设计。

1、对三极管hfe敏感；
2、对三极管特性、温度条件等敏感；
3、对外部输入输出阻抗敏感
4、静态偏置点、动态范围计算有待斟酌
5、反馈裕度不够（开环、闭环增益比过小），失真度指标待商议

还行，但不是很好的设计。

1、对三极管hfe敏感；
2、对三极管特性、温度条件等敏感；
3、对外部输入输出阻抗敏感
4、静态偏置点、动态范围计算有待斟酌
5、反馈裕度不够（开环、闭环增益比过小），失真度指标待商议 ...
xwj 发表于 2012-6-18 09:50

能麻烦您说的更具体详细点吗？我好改改，多谢了。

失真度，我仿真的时候是2%点几。

好不容易整理的， 不能沉了，求指点。。。。

LZ看过三本书，貌似这个整理过程主要还是用了第三本书的方法

看到俩笔误，发射结压降，-2.5mv/℃

帮顶一下

LZ看过三本书，貌似这个整理过程主要还是用了第三本书的方法

看到俩笔误，发射结压降，-2.5mv/℃

帮顶一下
不亦心 发表于 2012-6-18 14:09

多谢帮顶。。

是以第三本书为蓝本，加入了第二本书的注意点，

《晶体管电路设计》少讲了很多东西，本征电阻，温度，hfe等等，当初以铃木的书为本搞放大在本征电阻这没少兜圈子。所以我现在特别注意他。

下班之前先顶起，防止明天来看它沉了。。。

顶。。。。。。。

顶。。。。。。。

很详细，很好:)

不错滴说

菜鸟先顶，然后再慢慢看

路过,帮着也顶一下.

DING

路过

多谢各位帮顶，多谢。