反激开关电源问题

开关电源在老化的过程中会出现炸机现象，MOS管击穿，造成开关电源控制部分炸掉。如图，IMG_2769是空载波形，IMG_2768是带载波形，空载时电流振荡的厉害，带载关断的时候振荡的厉害，我怀疑是吸收或则是变压器的问题，还请各位前辈指点迷津。

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MOS驱动够猛的啊
你的电流检测电压多少啊？是1V吗？
如果是1V，检流电阻偏小，改大点。
还有，检流电阻用的什么类型？一定要用无感的哦。。。
怎么没有VDS波形

没错，电流检测电压是1V，电流检测电阻用的是0.53欧，电阻用的就是常用的电阻。你的意思是说电流波形振荡是因为没有用无感电阻，还是我电流检测电阻小了些？我跟别人电源对比过别人也没振荡的这么厉害。经验有限，弄不清楚问题点到底在哪里？VDS的波形我今天测试下。

“MOS驱动够猛的啊”你的是不是说我的驱动下降沿太陡了？

驱动的边沿太过陡峭, 会加剧不必要的寄生振荡, 栅级串30~300R量级的电阻, 效率并不会低太多, 有时串100R跟不串是差不多的.

MOS驱动可以适当减缓点。
检流电阻不能用线绕电阻，尽量用ESL低的。
图上看，OCP点比较大，检流电阻偏小，适当加大点。

以前做过一个气隙约2mm的变压器，，Vcs波形抖的比你这个还帅，因为漏磁太大了，不知道你这个是否类似

加个RC或者RCD吸收电路看是否有帮助？？

咋看不到图

改版刷半天出不来了

1、这个振荡有可能是测量引入的。如果不是测量引入的，那就是电流采样电阻的ESL比较大导致。建议测量时使用短的引线(1cm以下)，直接焊接在电阻两端测量。如果还有振荡，那么换一个低ESL的电阻对比看看。
2、栅极驱动确实太陡峭了，这样EMI会比较大，栅极驱动电阻一般在20-100欧。
3、MOSFET被击穿估计是漏感尖峰引起的，需要依据你的变压器的漏感来设计RCD吸收电路。
4、老化过程中设定的温度过高导致MOSFET过热损坏也有可能。

反激的工作原理是在D的时候  原边将能量存储在变压器的励磁电感里面(标准反激电路没有输出电感)， 1-D的时候励磁电感释放能量给负载和输出电容供电，  下一个D周期时输出电容维持负载输出。

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