请问,N沟道MOSFET,处于“ON”状态时,Vgs必须小于Vds吗?

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 楼主| cozy 发表于 2009-1-14 09:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
请问,N沟道MOSFET,处于“ON”状态时,Vgs必须小于Vds吗?<br />谢谢
反孔精英 发表于 2009-1-14 11:38 | 显示全部楼层

V(br)gs低于V(br)ds

所以要V(br)gs低于V(br)ds,具体要看datasheet
 楼主| cozy 发表于 2009-1-14 11:51 | 显示全部楼层

忘记说了,是N沟道增强型的MOS

另外:我觉得“ON”状态的要求与击穿电压没有多大关系吧
赤铸 发表于 2009-1-14 21:37 | 显示全部楼层

正相反,“ON”状态时,Vgs通常大于Vds

因为开关工作下&nbsp;Vds&nbsp;接近&nbsp;0
xiaotiger 发表于 2009-1-17 10:50 | 显示全部楼层

如下

mos管开关模型条件:Vds&nbsp;&lt&nbsp;Vgs&nbsp;-&nbsp;VT<br />mos压控电流源模型:Vds&nbsp;&gt&nbsp;Vgs&nbsp;-VT<br /><br />临界点:Vds&nbsp;=&nbsp;Vgs&nbsp;-VT<br /><br />VT为阀值电压
tc9148 发表于 2009-1-17 22:42 | 显示全部楼层

赤铸说的对

Vds&nbsp;on时,电压在0.1v左右。
houniao88 发表于 2009-2-2 15:02 | 显示全部楼层

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