CC2530芯片Flash写

在对CC2530芯片进行Flash写步骤中，有这样的描述：

1、设置FADDRH：FADDRL为起始地址（这是18位字节地址的16个最高有效位）。

请问这个地址设置后是否能自增，还是在编程4个字节后重新设置下一个地址呢？

4、在20us内对FWDATA进行四次写操作。

请问四次写操作具体是如何写的？

太高深了，超出能力范围

我有个问题，您能帮忙解答一下吗，谢谢！
我在向cc2530中烧写代码时提示：This device has been locked for debuggiing.To enable debugging and
continue with download,the device need to be erased.To erase and continue press OK,or Cancel to abort.
然后我点了“确定”，出现Failed to erase flash的warning.这是怎么回事，应该如何解决呢？

新人，学习！

清晨溪路 发表于 2013-5-10 16:23
我有个问题，您能帮忙解答一下吗，谢谢！
我在向cc2530中烧写代码时提示：This device has been locked for ...

朋友，这个问题怎么解决的，我的也是，第一次下载成功了，之后一直出现这个问题。