不解，请教：ZYNQ中CPU读写OCM，为何速度这么慢？

用的是ZedBoard，CPU时钟采用4:2:1，CPU主频250MHz，OCM时钟125MHz.想测试一下片内RAM的读写速度。
经过几次试验后测算，发现
1.一条NOP指令的执行时间是 4 nS，符合250MHz的主频；
2.一条RAM读的指令 LDR R4,[R3] 执行时间 72 nS，相当于18条NOP指令的时间；
3.一条RAM写的指令 STR R4,[R3] 执行时间 80 nS，相当于20条NOP指令的时间；

测试中，I-CACHE使能，D-CACHE未使能。

不能理解的是，片内的RAM，为何读写速度这么慢呢？
请指教，谢谢！！

DMA功能开启了没？

没动用DMA呢。就是拿CPU跑个死循环，用示波器测信号宽度，然后除一下重复的次数。应该是CPU自己的事情。
会不会是CPU和OCM之间的那个SCU里有FIFO，导致需要这么多的周期才能完成一次读写？但是我的SCU没有启用啊。

在xilinx forum上问了一下，看来是找到根据了：在《Zynq-7000 All Programmable SoC Technical Reference Manual》的 29.1.2 小节，有这样一句话：
  Low latency path for CPU/ACP reads to OCM (CPU at 667 MHz – minimum 23 cycles)
如果需要那么多cycles的话，看来就是这样的速度了------没有之前想像的那么快，这也许就是那么多的interconnect带来方便的时候所需要付出的代价----延迟。

and 发表于 2013-6-25 17:56
在xilinx forum上问了一下，看来是找到根据了：在《Zynq-7000 All Programmable SoC Technical Reference M ...

:)