请教陶瓷电容的容量与阻抗频率特性

登录 · 发表于 2013-7-9 10:46

在IC的vcc和GND之间需要加陶瓷电容，经常看到最好加0.1uF，0.001uF并联。依据是大容量的低频特性好，小容量的高频特性好。
我查看KEMET资料，确实是这样的。曲线如下：

ocon · 发表于 2013-7-9 10:51

本帖最后由 DianGongN 于 2013-7-9 10:53 编辑

我自己理解，相同材料，相同尺寸，容量越大，阻抗越小，对于所有频率都应该成立。
上面3个曲线，不知道是什么原因，小容量电容高频特性好。是工艺原因还是其他原因？
请高手指点，谢谢！

发表于 2013-7-10 23:59

主要影响原因是电容的结构所导致的串联等效电感。

发表于 2013-7-11 10:02

chunyang 发表于 2013-7-10 23:59
主要影响原因是电容的结构所导致的串联等效电感。

感谢chunyang指点。
我想知道详细一点，比如都是X7R材料，0603封装，1.0uF和0.01uF结构上有什么区别？如果只是叠层更多更薄，应该不会出现Figure11的频率特性。按直观的理解，应该是1.0uF电容在整个频率范围内，阻抗低于0.01uF电容。
查了一些资料，没有详细的解释。

发表于 2013-7-11 21:24

DianGongN 发表于 2013-7-11 10:02
感谢chunyang指点。
我想知道详细一点，比如都是X7R材料，0603封装，1.0uF和0.01uF结构上有什么区别？如 ...

是绝缘介质的厚度及层数的不同，结构则是相同的，同等材料和耐压下，容量越大层数越多，自然产生的串联等效电感以及串联等效电阻都更大，这将影响电容的高频特性。

发表于 2013-7-12 11:56

chunyang 发表于 2013-7-11 21:24
是绝缘介质的厚度及层数的不同，结构则是相同的，同等材料和耐压下，容量越大层数越多，自然产生的串联等 ...

按chunyang版主的意思，这个曲线是比较相同材料、相同耐压、不同封装的电容之间的频率特性。这个解释我能理解了，因为容量大的封装也大，频率特性的高频部分就差。
谢谢版主指点！

以前认为，曲线针对的是相同材料、相同封装、不同耐压的电容，应该是我想错了。

发表于 2013-7-12 17:04

DianGongN 发表于 2013-7-12 11:56
按chunyang版主的意思，这个曲线是比较相同材料、相同耐压、不同封装的电容之间的频率特性。这个解释我能 ...

相同材料和封装、不同容量和耐压的电容进行比较，曲线会有不同的交汇处，所以不能泛泛而言，需要比较具体的型号，一切以器件手册为准。

发表于 2013-7-12 18:22

chunyang 发表于 2013-7-12 17:04
相同材料和封装、不同容量和耐压的电容进行比较，曲线会有不同的交汇处，所以不能泛泛而言，需要比较具体 ...

谢谢！我再找一些datasheet看看

发表于 2016-3-30 16:16

这些datasheet怎么找的啊