本帖最后由 gcxzhz 于 2013-8-24 23:18 编辑
1测试mos管后面的波形 看是否正常（mos发热）
2 这个电路本来设计的就不是太好，三极管处于开关状态的时候 vgs可能已经超出了mos的限定值（mos发热 三极管发热）如果非要用这种电路可以在r2下面在串接一个电阻，在r2上并接一个稳压二极管（保护mos），这两个元件的值自己计算吧
3 效率肯定低 mos关的时候基本不损耗 ，mos开的时候 24v直接加载在电阻两端 耗电 测试时效率肯定低 （此处有个矛盾：r2小了开关速度可以加快，功耗增加了，反之。。。 取个中间值还是可以的） 你去测 占空比高时 r2 发热严重
4 最好搞个mos管的驱动 如ir2113等 高低侧驱动 用高侧驱动 用nmos 。频率搞个100k不是问题 线性度比较好 ，效率应该在80%以上
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