【读书笔记2 对地址映像以及实际存储空间的疑惑】

1. 书中描述有“K60系列控制器的RAM地址空间有2个部分，第一部分为SRAM_L，地址范围为0x1800_0000~0x1FFF_FFFF,  共128MB，第二部分为SRAM_U，地址范围为0x2000_0000~0x200F_FFFF，共1MB。”紧接着后面说到“MK60N512VMD100芯片的实际RAM存储器大小是128KB，其地址范围是0x1FFF_0000~0x2000_FFFF”。

问题：为什么实际存储空间远远小于可分配的空间？

2. 另外看到讲晶振电路部分，“K60共需要两个晶振，一个是芯片的主晶振，另一个是RTC的晶振”，还说到苏州大学飞思卡尔中心开发的板子，主晶振用的是50MHz的有源晶振。

问题：为何设计成需2个晶振，用一个无源晶振，片内外设若需其他频率的时钟，可以使用分频和倍频进行控制产生啊，这里设计的板子还用了一个有源晶振，系统整个功耗岂不增加了？

3. 赞同硬件最小系统测试方法中的“焊完一个模块后，应紧接着测试该模块工作是否正常，切忌焊接多个模块后，再进行测试，因为一旦出现问题，就很难定位具体是哪个模块的问题。”  

总结：确实是这样，特别是系统要驱动很多外设，调试的具体方案显得尤为重要。

4. 再说个小插曲吧(^_^)
看到page29上的图2-1中，对锁头图标的注释，"加密和防窜改检测"，第一感觉应该是“防篡改”，后来搜了下，两个词释义如下:
“窜改”的对象一般是文字、词语、成语、文件、古籍、账目等，多是具体的书面材料里的字句。
“篡改”多指精神实质方面的改动。“篡改”的对象一般是历史、经典著作、理论、学说、政策、指示等。也就是说，用假的、错的代替正确的东西，用作伪的手段对某些理论或精神实质进行改动或曲解。
即书中用词正确，并无错误。

看来 板子你势在必得啊

好吧，顶一个，**啊

觉得吧···RTC的晶振一般都是外接的，主要给RTC提供，为了提高RTC的精度吧，至少我手上的几块板子都是这样的

motodefy 发表于 2013-10-22 10:21
觉得吧···RTC的晶振一般都是外接的，主要给RTC提供，为了提高RTC的精度吧，至少我手上的几块板子都是这 ...

觉得外围电路还是越精简越好~

123de7 发表于 2013-10-22 10:15
好吧，顶一个，**啊

**是一定的~

针对你的问题我给出一些解答.
问题1. 后面的那一句不准确,前面的那句正确.你在看书的时候,同时也要参考我们的手册.
问题2. 每个晶振有每个晶振的作用.毕竟内部晶振的精度不高的.关于整体功耗的问题,外部晶振一定要使能之后才能工作,所以可以这样讲,也不增大功耗.
问题3. 我个人也很赞同.
问题4. 呵呵,不错,看的很细,值得鼓励.

FSL_TICS_Admin 发表于 2013-10-22 11:03
针对你的问题我给出一些解答.
问题1. 后面的那一句不准确,前面的那句正确.你在看书的时候,同时也要参考我们 ...

谢谢版主鼓励！

你好,对于您的问题，我的回答如下：
1，书中写SRAM的地址范围有两部分，第一部分为SRAM_L，地址范围为0x1800_0000~0x1FFF_FFFF,  共128MB，第二部分为SRAM_U，地址范围为0x2000_0000~0x200F_FFFF，共1MB
其实这个地址是对于芯片的系统内部地址的分配，是为了提供扩展使用，比如外挂SRAM什么的，实际的大小以芯片DATASHEET为准。当然，每款芯片也会标出它的SRAM大小。
2，使用多个时钟系统，是为了让时钟分频，模块时钟使用起来更加灵活。比如某些模块有用自身专用的时钟源，而您说的功耗增加完全没有必要担心，因为如果你不用的话，可以关掉相应的开关。

FSL_TICS_Admin 发表于 2013-10-22 11:03
针对你的问题我给出一些解答.
问题1. 后面的那一句不准确,前面的那句正确.你在看书的时候,同时也要参考我们 ...

您是指实际存储器大小是128KB，这句有问题吗？
找到这个datasheet，有说up to 128KB RAM

K60P144M100SF2(Rev.6-2011.9-Data Sheet-Technical Data).pdf (1.96 MB, 下载次数: 2)

2013-10-22 12:29 上传

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FSL_TICS_ZJJ 发表于 2013-10-22 11:06
你好,对于您的问题，我的回答如下：
1，书中写SRAM的地址范围有两部分，第一部分为SRAM_L，地址范围为0x180 ...

谢谢，学习了！

springvirus 发表于 2013-10-22 12:27
您是指实际存储器大小是128KB，这句有问题吗？
找到这个datasheet，有说up to 128KB RAM

DATASHEET中说的是这些型号中的实际RAM最大有128K。

FSL_TICS_ZJJ 发表于 2013-10-22 13:22
DATASHEET中说的是这些型号中的实际RAM最大有128K。

是，这个系列里的最大可到128，这句 "后面的那一句不准确"，是说哪句话不对？

哦，是这样的，他的意思是你说的这句话“紧接着后面说到“MK60N512VMD100芯片的实际RAM存储器大小是128KB，其地址范围是0x1FFF_0000~0x2000_FFFF”。
”
前面的实际RAM存储器大小是128KB这句是对的，但是后面的地址范围书上讲的0x1FFF_0000~0x2000_FFFF，是根据实际内存来分配的。
如下图（来自K60的reference manual）

实际地址范围是这么算的，其中SRAM_size是实际SRAM大小。

springvirus 发表于 2013-10-22 13:40
是，这个系列里的最大可到128，这句 "后面的那一句不准确"，是说哪句话不对？ ...

回答在14楼！

FSL_TICS_ZJJ 发表于 2013-10-22 14:02
哦，是这样的，他的意思是你说的这句话“紧接着后面说到“MK60N512VMD100芯片的实际RAM存储器大小是128KB， ...

哦，找到了K60 Sub-Family Reference Manual的page106上的原文

片上SRAM被分成了2个等大小的逻辑阵列，SRAM_L和SRAM_U。
SRAM_L被固定在0x1FFF_FFFF，占据以此地址为结束地址的以上空间。
SRAM_U被固定在0x2000_0000，占据以此地址为开始地址的以下空间。

而K60N512的SRAM为128KB，128KB/2 = 64KB = 65536B = 0x0001_0000B 65536 - 1 = 65535 = 0x0000_FFFF

所以 0x2000_0000 - 0x0001_0000 = 0x1FFF_0000
SRAM_L:0x1FFF_0000 ~ 0x1FFF_FFFF

0x2000_0000 + 0x0000_FFFF = 0x2000_FFFF

SRAM_U:0x2000_0000 ~ 0x2000_FFFF

SRAM的地址范围为0x1FFF_0000 ~ 0x2000_FFFF

书上说的没错啊。。。

还有个疑问，书上讲的都是MK60N512VMD100这个型号，然而在K60 Sub-Family Data sheet 和K60 Sub-Family Reference Manual中支持的芯片型号中，没有这个型号。。。
在官网搜这个型号，也没有。。。
最接近的就是这个，MK60DN512ZVMD10了，麻烦讲下历史渊源，谢谢~~

springvirus 发表于 2013-10-22 15:19
哦，找到了K60 Sub-Family Reference Manual的page106上的原文

片上SRAM被分成了2个等大小的逻辑阵列， ...

说的非常好！很正确

springvirus 发表于 2013-10-22 15:19
哦，找到了K60 Sub-Family Reference Manual的page106上的原文

片上SRAM被分成了2个等大小的逻辑阵列， ...

分析很正确，说的是对的！

springvirus 发表于 2013-10-22 15:20
还有个疑问，书上讲的都是MK60N512VMD100这个型号，然而在K60 Sub-Family Data sheet 和K60 Sub-Family Ref ...

是这样的，书上讲的就是MK60DN512ZVMD10这个芯片，这是1.X的芯片，有点老了，看到序号中的Z了吗？有Z的就是老芯片。现在的100M芯片有2.x,是更新了很多的东西。所以，你需要了解下K系列的1.X，和2.X的区别。对于这方面，飞思卡尔有个应用笔记专门讲这个区别。 AN4445.pdf (2 MB, 下载次数: 7)

2013-10-22 15:43 上传

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