模拟电路基础第一章

草稿，图略。前已经叙述大概内容。

以管子模型为主线，展现模拟电路发展史，就是一部与非理想因素作斗争的进化史。

第一章 半导体物理基础
1.1 电荷载流子
1.2 电流流动方法
1.3 有用的半导体
1.4 PN结
1.5 平衡态的PN结
1.6 偏置PN结
1.7 实际的PN结
1.8 晶体管工作原理
1.9 简单的晶体管模型
1.10 模型参数与Q点的关系
1.11 模型参数与温度关系
1.12 晶体管的安全工作极限

徐教授，有想法就出书。我肯定买。

章节题目新ying，实用价值较高，出之模电一线

打算总共写几章？有修改现有理论的内容吗？

等待下文，给顶起！

哈佛那本电子学写得非常好。很多东西三言两语就说清楚了，而且该用数学工具就用，没必要的地方直接用电路知识来定性讨论。而且很多地方教人怎样一步一步设计电路，并且指出设计出的电路的优缺点。缺点就是面太宽，什么都写，导致很多地方写得太浅。

国内的模电教材，喜欢堆砌公式，搞一堆没有什么现实意义的符号和值，写的很多，实际上有些原理性的东西还是错的。（***躺枪）

楼主要是能针对模拟部分，用哈佛电子学那种风格写深入一点，那就是一件功德无量的大事了。:lol

jz0095 发表于 2014-5-21 08:02
打算总共写几章？有修改现有理论的内容吗？

12章。常见模电中说的那些，尽量不说或少说，"补缺"为主。

xukun977 发表于 2014-5-21 09:01
12章。常见模电中说的那些，尽量不说或少说，"补缺"为主。

一点建议：射极跟随器的反馈极性是正反馈。2006年在本版曾有讨论（改版后已消失）。

另外，如果近期讨论的振荡器线性原理内容对你的写作有用，我乐观其成。

jz0095 发表于 2014-5-21 10:51
一点建议：射极跟随器的反馈极性是正反馈。2006年在本版曾有讨论（改版后已消失）。

另外，如果近期讨论 ...

相当滴“有新意”....

路过打酱油。。 发表于 2014-5-21 10:57
相当滴“有新意”....

对于你的反应，我一点也不感到奇怪。

@gaoyiyiyi 请问哈佛那本电子书全名叫什么呀？我想去买来看看

再回顾一下2006年讨论的内容。
.
反馈极性的定义：

If the feedback tends to increase the input amplitude, it is called positive feedback. If it tends to decrease the input amplitude, it is called negative feedback.
.
Ref:
《ELECTRONICS ENGINEERS’ HANDBOOK》，4th Edition, P.3.34，IEEE PRESS
.
输入：基极对地的电压u_b.
输入幅度： |u_b|。这是合成电压幅度，是入反射分量的合成；也可以被视为是输入端上输入阻抗和源内阻对电压源（信号源）的分压。
.
根据这个定义去判断射极跟随器的反馈极性，看看能得出什么结论。背离此定义的结论，无论多么主流，都是混乱、错误的。
.
进一步思考：
没有源内阻的模型，反馈引起的输入幅度有变化吗？没有源内阻的分析模型正确吗？

回12楼，那只是你对“反馈”的定义

Lgz2006 发表于 2014-5-22 07:35
回12楼，那只是你对“反馈”的定义

又语有轮次了。
看清楚了，是“反馈”的定义，还是“反馈极性”的定义？
是我自己的定义，还是谁的定义？

概念拎不清是硬伤啊。

你跟老抽偷学这个啊，看看你行文格式不清是什么伤？

.

你那个“输入”和“输入幅度”是你自己梦中物吧

xukun977 发表于 2014-5-21 09:01
12章。常见模电中说的那些，尽量不说或少说，"补缺"为主。

楼主应该把书名改改，叫那什么《模拟电路基础之外的拾遗补缺》，就是别把他人的饭碗给抢了~~~

曾经有一“元老”，把**蛋整成了松花蛋；而楼主是把蛋黄去了仅留下蛋白，美其名曰“胆固醇比较低”。不过，好像他们的操作手法基本是相同的，就是把现有的都砸碎了再捏吧捏吧整个新玩意儿出来。好使不好使大家自己试了便知。

话说回来了，人家整那“蛋”容易吗？理解万岁！

挺可怜的。

估计很多人对半导体物理没兴趣，只说一点点
1.11节
既然绝大多数半导体特性都是温度的函数，那么可以预计，与这些特性相关的晶体管特征也会随温度而改变。
对于反偏结，当温度变化时，ni^2变化了(它的表达式中的3次方项和指数项都是温度的函数)，进而np积变化，假设材料中所有施主或受主均离子化，而且电导率较高，那么浓度随温度变化的表达式为:
△p=△n=(ni2^2-ni1^2)/p
而且由前文知:
(n+△n)/n=(ni2/ni1)^2=exp[-qEg/k(1/T2-1/T1)]
于是可知:
Ico2/Ico1=exp[q(Eg/kT1T2)△T]
式中Ico是当发射极开路时，通过反偏CB结的电流。当集电极开路时，可得类似Ico表达式。
当温度在某一范围内变化时，可近似认为T1T2之积为常数，那么反向电流是△T的指数函数。对于硅，这个理论上的常数等于1/6.5，根据上式可知，温度每变化4.5摄氏度，Ico翻倍。实际上硅并不遵循此理想变化规律，关于Ico的初始值及变化速率，通常由半导体制造商提供，可查看相关数据说明书。当然也可实测获得。

xukun977 发表于 2014-5-22 09:57
估计很多人对半导体物理没兴趣，只说一点点
1.11节
既然绝大多数半导体特性都是温度的函数，那么可以预计 ...

你这里的公式，是只在这一章这一节用到还是在后面推其它公式时也会用到？

我的观点是如果仅在这一章这一节用到，那就干脆舍掉公式，定性说就好了。因为某位作者曾经说过：“我的书里每增加一个数学公式，读者数量就要减少1/2。”

chunk 发表于 2014-5-22 10:30
你这里的公式，是只在这一章这一节用到还是在后面推其它公式时也会用到？

我的观点是如果仅在这一章这一 ...

数学公式不是说越少越好，主要 数学所代表的物理观念要描述的清楚，光推导数学公式，物理观念阐述的含糊不清是国内教科书的一大特色。其实物理观念讲解清晰后，反而会让人认识到数学的优雅之美。
反过来说，很多读者看到各类工程书籍中的繁琐数学也就吓到了，但其实很多繁琐的数学背后蕴含的是不是太复杂的物理观念，可是读者也就只想着记公式，没有思考背后的思想观念。。。。
我觉得这些是作者和读者都需要注意的。