推挽型射极跟随器

小弟最近百度《晶体管设计》（上），遇到如附件所示的电路。书中认为这个电路会发生交越失真，我甚为不解，这个电路为什么会产生交越失真。希望懂的网友不吝赐教。

该图下面的文字已经说得很清楚了。

因为你输入端和三极管之间的0.7伏需要减少，所以在这个电路图输入端的直流偏置是相同的，而输出端的直流偏置不相同。

那两个10k电阻是摆设，10k电阻并不能给晶体管提供任何一丁点儿偏置电流，故晶体管在信号很小时不能及时导通，输出电压发生交越失真

   因为两个管都没有适度的偏压，输入信号从0上升到三极管所要求的Vbe的过程，没有输出信号，上升到Vbe以后，才有输出，这样，两个半波的连接就出现时间间隔造成交越失真。
  解决办法很明显，两个b极之间串接合适电阻，使两管静态是有合适Vbe偏压。

春天里的剪刀菜 发表于 2014-7-5 12:06
那两个10k电阻是摆设，10k电阻并不能给晶体管提供任何一丁点儿偏置电流，故晶体管在信号很小时不能及时导通 ...

但是Vb=7.5V，这样不能使BE导通吗？

captzs 发表于 2014-7-5 12:39
因为两个管都没有适度的偏压，输入信号从0上升到三极管所要求的Vbe的过程，没有输出信号，上升到Vbe以后 ...

这么说，这个电路不会发生交叉失真了？另外我用multisim进行了仿真，除了三极管不同以外，其他的都一样，结果看不到交叉失真

小工兵 发表于 2014-7-5 22:18
这么说，这个电路不会发生交叉失真了？另外我用multisim进行了仿真，除了三极管不同以外，其他的都一样， ...

这么说，这个电路不会发生交叉失真了？

会发生交叉失真

这电路在线性领域早就淘汰了，除非是作为环路的一部分，完全没有研究的价值。。。
倒是非线性领域驱动MOSFET和IGBT的栅极这个还是典型电路，因为射随器没有storage time速度快，交越失真不在考虑范围内。

回7楼“结果看不到交叉失真”，在附件。

铃木就像一本儿小人儿书，配上仿真，就是一本儿带动画带音效的高科技小儿书

赶快扔掉吧！

小工兵 发表于 2014-7-5 22:13
但是Vb=7.5V，这样不能使BE导通吗？

由于NPN管与PNP管的基极接在一起，发射极也接在一起，别说Vb小小的7.5V，纵使Vb再高，Vbe也是0，也会产生交越失真！
所以楼主这个电路，只是一个理想模型。必须改造，才有实用价值。

LZ忘了“电压差”

OK。电压，就是电位。纵使电位再高，没有电压差，即电压降，也不能给BJT提供基极电流使其导通。

小工兵 发表于 2014-7-5 22:13
但是Vb=7.5V，这样不能使BE导通吗？

Vb=7.5V，是对该电路你设定的“地”而言。
三极管导通要求的是Vbe，即基极对发射极的电压。

“OK。电压，就是电位。”
真敢说啊。菜教授就是这样教学生的？两个概念一样吗？
赶快找一本普通物理看看，电位和电压定义是不是一样的。
实在找不到，百度一下也行。

电位，就是从电路中指定的零电位点算起的电压。

“电位，就是从电路中指定的零电位点算起的电压。”

这句倒是没有错。
可从这句，能得出“电压，就是电位”吗？
什么逻辑？

小学生都知道，电位可以简称为电压。电压就是指定点到零电位点之间的电压降。指定点到零电位点之间的电压降简称为电压。

要是有人一直把”电位“挂在嘴上，岂不是书呆子一个笑煞人也！

动辄就去翻物理书，或者找度娘，更显示其基础差得不是一星半点！