GD32学习笔记4-FLASH的读写

FLASH分为两种，NOR Flash和NAND FLASH，GD32中的FLASH属于NOR Flash，两者的区别如下：

NOR Flash：
1.程序和数据可存放在同一片芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机地读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至ＲＡＭ中再执行
2.可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。

NAND FLASH
1.以页为单位进行读写操作，1页为256B或512B；以块为单位进行擦除操作，1块为4KB、8KB或16KB。具有快编程和快擦除的功能
2.数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程
3.芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bit cost）最低的固态存储器
4.芯片存储位错误率较高，推荐使用 ECC校验，并包含有冗余块，其数目大概占1%，当某个存储块发生错误后可以进行标注，并以冗余块代替
5.Samsung、TOSHIBA和Fujistu三家公司支持采用NAND技术NAND Flash。目前，Samsung公司推出的最大存储容量可达8Gbit。NAND 主要作为SmartMedia卡、Compact Flash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为Flash磁盘技术的核心。

GD32的FLASH有几个新的不同
1.实现了单周期32位读操作，无任何等待延时
2.可以一次性写入半个字或者1个字

FLASH写入半个字的顺序如下

flash页擦除的顺序如下

块擦除的顺序如下

关于读保护的说法
1.读保护需要设置RDP位，然后芯片重新上电复位后使能
2.给RDP中写入0x00A5后，然后重新上电复位，可以解除读保护
具体等板子回来后测试

关于写保护的说法
1.写保护需要配置WRP位，然后重新上电后使能写保护
2.解除写保护需要配置OBER位和给给RDP中写入0x00A5后，然后重新上电复位，可以解除写保护
具体需要等板子回来后测试

朋友果然做的详细，给个赞

可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。

NAND FLASH以页为单位进行读写操作，1页为256B或512B；以块为单位进行擦除操作，1块为4KB、8KB或16KB。具有快编程和快擦除的功能

留个记号

FLASH分为两种，NOR Flash和NAND FLASH，GD32中的FLASH属于NOR Flash

看来原始的英文文档的介绍还是还是挺详细的

程序和数据可存放在同一片芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机地读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至ＲＡＭ中再执行

这样设计还是非常不错的