ARM搭载Flash大小疑问

请问ARM最大能搭载多大的NANDFlash？我知道具体的ARM芯片对应的存储器映射有对应的分配，但是我想知道的是ARM本身结构因素影响有没有上限的限制呢？我现在知道ARM的寻址空间是32位，最大有4G地址空间，那么是不是对应的物理地址也只能是4Gbit，不会再高了？
我是新手，这里很疑惑，有谁能帮解答一下，或者有好的书籍推荐呢，谢谢！

NAND FLASH是通过NAND控制器来实现的
NAND FLASH地址能写入多少，要看NAND FLASH芯片能接受的一些命令是不是支持超过4G的

jplzl 发表于 2014-8-29 10:23
NAND FLASH是通过NAND控制器来实现的
NAND FLASH地址能写入多少，要看NAND FLASH芯片能接受的一些命令是不 ...

和ARM本身没有关系么？
为什么在ARM手册上的MEMORY MAP上都会表明GPMC大小同ARM分配的地址空间是相同的呢？
如下图：
Table 2-1. L3 Memory Map
Block Name          Start_address (hex)      End_address (hex)              Size               Description
GPMC                         0x0000_0000(1)                 0x1FFF_FFFF             512MB           8-/16-bit External Memory

如果GPMC受到地址分配影响，对于32位地址的是不是最大只能是4Gbit*X（flash数据宽度）？

NAND FLASH的地址空间并不需要映射到CPU的地址空间里面呀。
一个8bit的MCU都可以访问1TB的硬盘内的所有内容。

aozima 发表于 2014-8-29 11:47
NAND FLASH的地址空间并不需要映射到CPU的地址空间里面呀。
一个8bit的MCU都可以访问1TB的硬盘内的所有内容 ...

不是很懂，不需要映射到地址空间中，那这个是什么意思呢？
Table 2-1. L3 Memory Map
Block Name    Start_address (hex)   End_address (hex)     Size     Description
GPMC            0x0000_0000(1)         0x1FFF_FFFF      512MB      8-/16-bit External Memory

刚接触不久，想不通！

上面512MB是外部存储器的映射空间（如SDRAM）,这个是映射到CPU的地址空间的，跟NAND两码事呀。

可以参考下这个贴子。
http://bbs.21ic.com/icview-749236-1-1.html

关注以下

先了解一下nandflah的读写操作吧，它并不像norflash那样直接寻址，即使是普通的单片机也能访问nandflash的任意地址

aozima 发表于 2014-8-29 15:55
上面512MB是外部存储器的映射空间（如SDRAM）,这个是映射到CPU的地址空间的，跟NAND两码事呀。

可以参考下 ...

谢谢 学习一下，有问题再请教你

泰山特曲123 发表于 2014-8-29 20:42
先了解一下nandflah的读写操作吧，它并不像norflash那样直接寻址，即使是普通的单片机也能访问nandflash的 ...

谢谢，先学习一下

aozima 发表于 2014-8-29 15:55
上面512MB是外部存储器的映射空间（如SDRAM）,这个是映射到CPU的地址空间的，跟NAND两码事呀。

可以参考下 ...

这个不是SDRAM的寻址空间，这个是TI Am335X的手册，他还有一个1GB的地址的空间。
EMIF0 SDRAM    0x8000_0000         0xBFFF_FFFF        1GB        8-/16-bit External Memory
现在有点明白了一点，谢谢大侠指点。

但是arm的nandflash控制器对nand的页面大小有限制

shuzijiqun 发表于 2014-8-30 14:53
但是arm的nandflash控制器对nand的页面大小有限制

那上面几位说的是不依靠nandflash控制器对nandflash控制么？是这个意思么？有控制器对其控制和自己模拟控制时序均行，就是简单和复杂关系是这么理解么？

wzc1984 发表于 2014-8-31 21:19
那上面几位说的是不依靠nandflash控制器对nandflash控制么？是这个意思么？有控制器对其控制和自己模拟控 ...

对NANDFLASH读写的本质都是一样的，就是依据NAND FLASH芯片手册，提供相应的控制时序，包括，读写命令和数据，复位等操作时序，这个要依据实际的NAND FLASH芯片。
至于NAND控制器，只是由MCU的硬件逻辑来实现这些控制时序，相对于模拟时序来说，只是时序更精确

jplzl 发表于 2014-9-2 09:56
对NANDFLASH读写的本质都是一样的，就是依据NAND FLASH芯片手册，提供相应的控制时序，包括，读写命令和 ...

谢谢！！