三极管：集电极上拉和发射极下拉，速度到底相差多少？

请举例说明。

这是俺的空白。

刚才用99SE的4N25仿真时发现，居然相差2.28 ms！
输入波形：50Hz正弦，经串联起来的发光二极管到输出三极管。
比较波形：电阻R7和R8均为4.7 kΩ，电源VDD＝12 V。

下拉三极管不会饱和，存储时间短，速度会比较快点。

上拉的快

要比较最好输入方波，看上下沿来比较。正弦波不好比，共射的放大倍数大，沿比较陡，而射随器放大倍数接近1，边沿取决于正弦波的幅度。

当然，还与电阻的参数有关，比如，即使共射，但三极管只是工作在放大区，没饱和。。。

是不是要并起来呢?

我当时的想法是：正弦都跟不上，方波就别想了。不知道有没有道理？才50Hz嘛

那样做的原因是：输入波形能保证一致

本图的主要目的是观察“时间差”

输入为正弦波波形对上拉有利,2.28 ms的差距说明比较方法不对,这个光藕速度再差也会快过2.28 ms!

但是，由此出发，必须面对的问题是----什么方法才公平？

人家不可以说方波对下拉有利吗？

1,三极管VCE很小,就是进入饱和.VCE=VDD-IR
2,上拉:集电极输出负载是:上拉电阻R,后接电路输入电容.管子截止时,对电容充电时间常数RC,管子导通时电阻很小,放电时间常数很小,故, 波形上升慢,下降快.
3,下拉: 发射极输出负载是:下拉电阻R,后接电路输入电容.管子截止时,电容放电时间常数RC,管子导通时电阻很小,充电时间常数很小,故, 波形上升快,下降慢.
4,要波形上升/下降都快, 应采用推挽输出.
5,再要提高速度,防止管子深饱和.
6,对上或下拉的情形,R的选择根据光耦的传输比CTR,发光电流IF,次级电源电压VDD计算而得,原则是不会深饱和.

彭建学  上海

我慢慢消化

发光管驱动边沿要陡.

举例:6N135, CTR=0.18,IFMAX=50毫安,若VDD=5V,则
    令IF=30毫安, 0.18*R*IF=5.4R=5
   R=920欧, 故选R=910欧.
 若C=30PF,则RC=27.3纳秒

彭建学  上海
     

与结电容关系不大，与是否饱和关系也不大，与基极对地的几个电阻有关。
如果你把他们去掉，速度应该几乎相等，因饱和与非饱和的差别，发射极下拉快一点，uS级甚至更短。
把这几个电阻阻值减小，延时会比2.28还要大，阻值增大则反之。
原因：接收管的光电流首先被这几个电阻吸收，上啦方式，R9上只要约0.7V电压，多的就开始形成三极管的Ib了。下拉方式呢，R5上吸收的电流会大很多，楼主试一下吧。

1,光敏管另加的基极是为了应用更灵活.如可当三极管用.
2,基极电阻会对光生电流产生分流作用,故对速度有影响.

彭建学  上海