P沟道增强型MOSFET用做开关管是什么原理

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 楼主| bob9999 发表于 2008-6-20 00:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
    大家好:一直用P沟道增强型MOSFET做开关用,栅极低电平,则漏源通,栅极高电平,则漏源断,电流是由漏极流向源极。今天有位同事看了电路说不对,电流应该是由源极流向漏极。我也不知道怎么回事情了,回来看了一下书,书上也没写,只写了和Vgs有关的一些理论。
    谁能高速我一下做开关是什么原理。我搜了一下网上,也是按照我那样用的。我用的是不是错了。我用的是SI3443.
xwj 发表于 2008-6-20 02:21 | 显示全部楼层

不考虑体二极管的话源极和漏极可以等效互换

xlander 发表于 2008-6-20 08:37 | 显示全部楼层

我也是这么用的

看一下我的另一个帖子,有些问题,不知道是不是用法错误了.
http://bbs.21ic.com/club/bbs/list.asp?boardid=6&page=1&t=3004684&tp=%u5927%u5BB6%u90FD%u662F%u7528%u4EC0%u4E48%u5668%u4EF6%u5207%u65AD%u7535%u6C60%u4F9B%u7535%u7684%uFF1F
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