问答-
这个是STM32F4读Flash的Read Disturb现象吗？
我在使用STM32F4中发现另一个奇怪的现象。我用STM32F407VGT6作为数字控制电源的处理器。将ADC转换系数存在Flash中。例如：VolCoeff1=(*(s32*)VOL1_COEFF_ADDR），VOL1_COEFF_ADDR为Flash地址。则真实的电压为therealvoltage=VolCoeff1*ADCdigitalvalue在TIM2定时器中断（15kHz，66.7us）中读取系数，用于真实电压/电流的换算。因为有十几个ADC转换系数，因此每小时读Flash的次数超过7亿次。后来发现：（1）存在用户Flash区域中的ADC转换系数有的变为0（转换的真实采样值变为0，并且在Keil内存Watch窗口可以看到）。（2）此外，有的系数在对过程中是不断变化的，这个在Keil内存Watch窗口中也可以观察到（写flash的指令都被屏蔽了）。在重新刷写相应的Flash数据扇区后，系数都能恢复正常。上述现象与很多文献所说的readdisturb（就是过量读操作可能导致Flash数据改变）比较吻合。但我现在也不能完全确定。内核在程序存储区取指令应该也是一种“读”操作吧，这与访问用户自定义的Flash数据区有什么区别吗？希望有大神能给于解释，不甚感激！！！
2021-05-01 5 -
这是STM32读Flash的“read disturb”现象吗？
我在使用STM32F4中发现另一个奇怪的现象。我用STM32F407VGT6作为数字控制电源的处理器。将ADC转换系数存在Flash中。例如：VolCoeff1=(*(s32*)VOL1_COEFF_ADDR），VOL1_COEFF_ADDR为Flash地址。则真实的电压为therealvoltage=VolCoeff1*ADCdigitalvalue在TIM2定时器中断（15kHz，66.7us）中读取系数，用于真实电压/电流的换算。因为有十几个ADC转换系数，因此每小时读Flash的次数超过7亿次。后来发现：（1）存在用户Flash区域中的ADC转换系数有的变为0（转换的真实采样值变为0，并且在Keil内存Watch窗口可以看到）。（2）此外，有的系数在对过程中是不断变化的，这个在Keil内存Watch窗口中也可以观察到（写flash的指令都被屏蔽了）。在重新刷写相应的Flash数据扇区后，系数都能恢复正常。上述现象与很多文献所说的readdisturb（就是过量读操作可能导致Flash数据改变）比较吻合。但我现在也不能完全确定。内核在程序存储区取指令应该也是一种“读”操作吧，这与访问用户自定义的Flash数据区有什么区别吗？希望有大神能给于解释，不甚感激！！！
2021-05-01 0
