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AD flash STM32 ADC dc DC转换

这是STM32读Flash的“read disturb”现象吗?

youjiang4052021-05-01

我在使用STM32F4中发现另一个奇怪的现象。
我用STM32F407VGT6 作为数字控制电源的处理器。将ADC转换系数存在Flash中。例如:
VolCoeff1 = ( *(s32*)VOL1_COEFF_ADDR),VOL1_COEFF_ADDR为Flash地址。则真实的电压为
the real voltage=VolCoeff1 * ADC digital value

在TIM2定时器中断(15kHz,66.7us)中读取系数,用于真实电压/电流的换算。因为有十几个ADC转换系数,因此每小时读Flash的次数超过7亿次。
后来发现:
(1)存在用户Flash区域中的ADC转换系数有的变为0(转换的真实采样值变为0,并且在Keil 内存Watch窗口可以看到)。
(2)此外,有的系数在对过程中是不断变化的,这个在Keil 内存Watch窗口中也可以观察到(写flash的指令都被屏蔽了)。
在重新刷写相应的Flash数据扇区后,系数都能恢复正常。

上述现象与很多文献所说的read disturb(就是过量读操作可能导致Flash数据改变)比较吻合。但我现在也不能完全确定。

内核在程序存储区取指令应该也是一种“读”操作吧,这与访问用户自定义的Flash数据区有什么区别吗?

希望有大神能给于解释,不甚感激!!!


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