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这个是STM32F4读Flash的Read Disturb现象吗？

youjiang4052021-05-01

我在使用STM32F4中发现另一个奇怪的现象。
我用STM32F407VGT6 作为数字控制电源的处理器。将ADC转换系数存在Flash中。例如：
VolCoeff1 = ( *(s32*)VOL1_COEFF_ADDR），VOL1_COEFF_ADDR为Flash地址。则真实的电压为
the real voltage=VolCoeff1 * ADC digital value

在TIM2定时器中断（15kHz，66.7us）中读取系数，用于真实电压/电流的换算。因为有十几个ADC转换系数，因此每小时读Flash的次数超过7亿次。
后来发现：
（1）存在用户Flash区域中的ADC转换系数有的变为0（转换的真实采样值变为0，并且在Keil 内存Watch窗口可以看到）。
（2）此外，有的系数在对过程中是不断变化的，这个在Keil 内存Watch窗口中也可以观察到（写flash的指令都被屏蔽了）。
在重新刷写相应的Flash数据扇区后，系数都能恢复正常。

上述现象与很多文献所说的read disturb（就是过量读操作可能导致Flash数据改变）比较吻合。但我现在也不能完全确定。

内核在程序存储区取指令应该也是一种“读”操作吧，这与访问用户自定义的Flash数据区有什么区别吗？

希望有大神能给于解释，不甚感激！！！

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5 个回答

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zchong

1、确认flash内容是否的确被改写了；
2、有一种断点叫数据断点，可以设置成写触发，观察一下是否有程序误写了flash。

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2021-05-02

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huzaizai007

这些关键系数可以加个校验字节，如果校验错误再从flash里重新读取，平时放在ram里就行。而且存在flash里时多放几个备份，放在不同扇区。如果一个扇区的数据错误，还可以从其他扇区读取，对错误数据更正。15khz的频率读flash不算很快，还是重点检查下程序吧

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2021-05-01

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youjiang405

另外，之前的认识一直都认为Flash是可以无限次读操作的。在这里是否是真的发生了所谓的read disturb现象，还不确定。

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2021-05-01

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youjiang405

这个电源工作在强电磁环境下，因为有人认为RAM中的数据容易被干扰，因此将系数存在Flash中，每次使用时从Flash读一次。

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2021-05-01

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cjseng

上电时读一次即可，保存在RAM中，为啥要要每次都去读一下？

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2021-05-01

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