电源为什么要用BCD工艺

发表于 2018-6-25 20:12

问个问题：电源为什么要用BCD工艺？

发表于 2018-6-25 20:19

在高压情况下，这主要是由power决定的，是用DMOS还是bipolar，目前DMOS用得多

发表于 2018-6-25 20:34

BCD =single gate .. vth 是低压一般只须DRAIN 耐高压特别是如driver .

发表于 2018-6-25 21:31

至於厚oxide  dual get process 如耐 40v . vth 高  Lmin也大
一般 40v dual gate MOS vth =2~3v  Lmin=3um
40v BCD LDMOS  vth=0.7~0.9v  Lmin=0.2~0.4 (Ldmos Lmin很多都固定不能调整)
光 area 會差多少 ??

发表于 2018-6-25 21:46

有种特别调低 low Rds_on 使用在BCD LDMOS
一般 BCD 可能 mOhm/mm^2 ex. 30 . 特别调低可能 10~20
至於非 switch LDMOS 可能 >300 如果 dual gate 那 >> 600~1000 上

发表于 2018-6-25 22:30

BCD主要还是考虑POWER MOSFET

发表于 2018-6-25 22:40

Ron好啊，大部分的低壓gate控制都可以透過電路技巧解決。比起高壓gate麻煩一點

发表于 2018-6-25 22:48

成本与性能的折衷吧。 Ron 好省面积。多几层mask也OK。不知道可不可以这么理解。

[电源] 电源为什么要用BCD工艺

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