C8051 FLASH 掉电保存问题

1万 · 2019-3-18 11:32

archiew 发表于 2019-3-18 11:29
这是芯片FLASH空间分配，我用的是下面的可用部分地址。0xF000左右，避开了程序代码存储区 ...

要不直接上代码吧

只看该作者 · 2019-3-18 11:44

本帖最后由 archiew 于 2019-3-18 11:45 编辑

ayb_ice 发表于 2019-3-18 11:32
要不直接上代码吧

// FLASH读写

复制

// 测试代码

FLADDR start_address = 0xF000;

U8 test_byte;

test_byte = FLASH_ByteRead(start_address);

FLASH_PageErase(start_address);

FLASH_ByteWrite(start_address, test_byte+1);

test_byte = FLASH_ByteRead(start_address);

1万 · 2019-3-18 11:46

archiew 发表于 2019-3-18 11:44

这能看到什么呢
看驱动才行

只看该作者 · 2019-3-18 11:46

archiew 发表于 2019-3-18 11:44

复制

// FLASH读写

只看该作者 · 2019-3-18 11:48

ayb_ice 发表于 2019-3-18 11:46
这能看到什么呢
看驱动才行

FLASH读写的代码怎么发不上去？

只看该作者 · 2019-3-18 11:50

ayb_ice 发表于 2019-3-18 11:46
这能看到什么呢
看驱动才行

1万 · 2019-3-18 13:07

本帖最后由 ayb_ice 于 2019-3-18 13:11 编辑

archiew 发表于 2019-3-18 11:50

需要先页擦除
感觉差不多，没什么大问题，注意点细节即可
去掉禁止中断的相关代码，可以这样写
＃pragma disable
u8 Flash_WriteByte(...)
...
然后读根本不需要什么API，直接读内存即可
u8 var = CBYTE(0x7c00);

1万 · 2019-3-18 13:12

archiew 发表于 2019-3-18 11:50

这是我之前的代码，具体芯片型号可能不一样，供参考
//______________________________________________________________
// c8051f_eeprom_page_erase(10);
//______________________________________________________________
//
// 页擦除
// n = 页编号，0～xx
//
// 注意：页大小一般为512字节，最后两页不要使用。
//
#if EN_c8051f_eeprom_page_erase > 0
#pragma __EE_DISABLE
bool c8051f_eeprom_page_erase(U8 n)
{
U8 xdata * px;

if(n >= (NUMBER_OF_EE_PAGE - 1)){ // 最后一页一般保留，不能使用
return false;
}

px = (U8 xdata *)(SIZEOF_C8051F_EE_PAGE * n);

PSCTL = PSEE + PSWE;
FLKEY = FLKEY_1;
FLKEY = FLKEY_2;

px[0] = 0; // 启动擦除操作

PSCTL = 0;

return true;
}
#endif

//______________________________________________________________
// if(true != c8051f_eeprom_page_check(10))...
//______________________________________________________________
//
// 页擦除检查
// n = 页编号，0～xx
//
// 注意：页大小一般为512字节
//
#if EN_c8051f_eeprom_page_check > 0
bool c8051f_eeprom_page_check(U8 n)
{
U16 k;
U8 code * pc;

if(n >= (NUMBER_OF_EE_PAGE - 1)){ // 最后一页一般保留，不能使用
return false;
}

pc = (U8 code *)(SIZEOF_C8051F_EE_PAGE * n);

for(k=SIZEOF_C8051F_EE_PAGE; k; k--,pc++){
if(pc[0] != 0xff){
return false;
}else{
__debug();
}
}

return true;
}
#endif

//______________________________________________________________
// c8051f_eeprom_write_offset(10, 0, 55);
//______________________________________________________________
//
// 字节写
// n = 页编号
// offset = 偏移值
// k = 待写值
//
#if EN_c8051f_eeprom_write_offset > 0
#pragma __EE_DISABLE
bool c8051f_eeprom_write_offset(U8 n, U8 offset, U8 k)
{
U8 xdata * px;

if(n >= (NUMBER_OF_EE_PAGE - 1)){ // 最后一页一般保留，不能使用
return false;
}

px = (U8 xdata *)(SIZEOF_C8051F_EE_PAGE * n + offset);

PSCTL = PSWE;
FLKEY = FLKEY_1;
FLKEY = FLKEY_2;

px[0] = k;

PSCTL = 0;

//__________________________________
// 校验写入的值
if(((U8 code *)px)[0] != k){ // U8 code *
return false; // 硬件调试时可能错误，脱机运行正确
}else{
__debug();
}

return true;
}
#endif

只看该作者 · 2019-3-18 14:24

ayb_ice 发表于 2019-3-18 13:12
这是我之前的代码，具体芯片型号可能不一样，供参考
//_______________________________________________ ...

OK，我研究研究，谢谢了

1万 · 2019-3-19 11:09

archiew 发表于 2019-3-18 14:24
OK，我研究研究，谢谢了

搞定没有

只看该作者 · 2019-3-19 22:32

ayb_ice 发表于 2019-3-19 11:09
搞定没有

可以掉电保存了，但是还有点问题：启用VDD monitor之后，每次上电需要手动复位才能读出来值；关掉VDD monitor就读不到值了，debug发现在写FLASH时

复制

FLASH_PageErase(start_address);

FLASH_ByteWrite(start_address, test_byte+1);

执行完写FLASH，就跳到上一句FLASH擦除了，程序无法继续往下走

1万 · 2019-3-20 08:28

archiew 发表于 2019-3-19 22:32
可以掉电保存了，但是还有点问题：启用VDD monitor之后，每次上电需要手动复位才能读出来值；关掉VDD mon ...

官方应该有例程

C8051 FLASH 掉电保存问题

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