本帖最后由 rookie21 于 2020-6-10 22:08 编辑
无意义抬杠没好处,我也不喜欢推公式,先说下我对 物理概念的理解,都已NPN为例:
首先EB结间的横截面积比CB结间小了很多。
然后CB耗尽层的偏压,会影响B区靠近C端位置处的浓度,耗尽区时里或边沿的电子浓度很低可为0。
但是CB结正偏越来强时,C区正偏会扩散电子,会导致B区靠近C极处的电子的浓度比原来升高了。前面讲过正向工作区时IC的大小主要是E扩散到B中电子数 或浓度来决定。他们因为B区两端的浓度差扩散进BC间耗尽区被电场收集。现在如果B区靠近C的电子浓度越来越高,那么电子 从B区的靠近E端处,往靠近C区处,扩散肯定也会越来越难。因为扩散机制靠的就是浓度梯度。浓度差变小,越难扩散。
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