晶体管基础问题请教

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 楼主| 坏小子python 发表于 2013-3-18 09:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
想问下,书本上都说晶体管是电流控制型器件,但是大部分小信号模型都是用Ic=Is(exp(Vbe/VT)-1),从公式看来是Vbe的电压去控制集电极电流?到底是电压控制电流还是电流控制?
Lgz2006 发表于 2013-3-18 09:39 | 显示全部楼层
与书相比,肯定是坏小子错了。接下来在考虑:哪儿错了
hsyyqq 发表于 2013-3-18 09:41 | 显示全部楼层
我眼拙 这个是二极管的吧 你说流控 压控应该是说三极管吧  三极管小信号等效就是看成一个流控电流源啊Ic=βIb
 楼主| 坏小子python 发表于 2013-3-18 09:45 | 显示全部楼层
hsyyqq 发表于 2013-3-18 09:41
我眼拙 这个是二极管的吧 你说流控 压控应该是说三极管吧  三极管小信号等效就是看成一个流控电流源啊Ic=β ...

从跨导的角度开看,Ic=Vbe×Gm,所以这就是我困惑的地方
 楼主| 坏小子python 发表于 2013-3-18 09:46 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2013-3-18 09:39
与书相比,肯定是坏小子错了。接下来在考虑:哪儿错了

确实不知,所以才上坛里来问问,请给个思路。
Lgz2006 发表于 2013-3-18 09:48 | 显示全部楼层
坏小子python 发表于 2013-3-18 09:46
确实不知,所以才上坛里来问问,请给个思路。

要从物理模型理解,不要从各种各样等效电路去看,那我还说是功率控制型呢
xukun977 发表于 2013-3-18 09:55 | 显示全部楼层
这是大信号,不是小信号

本质是VCCS。但后者简单,故常用。

你还别说,教授关于小信号的乌龙论,确实迷惑人,很多人不认可,但却无法针锋相对的辩驳。

做个类比,他提出了这么个判断:牛群是牛顿家亲戚。
听众第一反应是去查牛顿家族谱,生于哪,几个子嗣,后代干啥的。
而不是先看牛群是谁。
废了好大的劲,啥线索没查到。
后来知道:牛顿和牛群是八杆子打不着的关系。
hsyyqq 发表于 2013-3-18 09:56 | 显示全部楼层
坏小子python 发表于 2013-3-18 09:45
从跨导的角度开看,Ic=Vbe×Gm,所以这就是我困惑的地方

Vbe影响基极电流Ib,三极管的电流分配按照β来的。所以Ib变化影响Ic,虽然我没看书很久了但是好像是这个样子,难道是讨论特殊情况下的东西? 你说的那个公式是Ic是二极管的正向导通电流 跟三极管的集电极电流是一回事吗?
Lgz2006 发表于 2013-3-18 09:58 | 显示全部楼层
xukun977 发表于 2013-3-18 09:55
这是大信号,不是小信号

本质是VCCS。但后者简单,故常用。

去“小信号”处讨论:P
 楼主| 坏小子python 发表于 2013-3-18 10:03 | 显示全部楼层
xukun977 发表于 2013-3-18 09:55
这是大信号,不是小信号

本质是VCCS。但后者简单,故常用。

kun哥,您终于来了,本质上发射极到基极的载流子的量也是由Vbe来控制的。所以我就一直对书上的论断弄不明白了。

评论

pjy
发射结的宽度决定了扩散到基区的多子的数量或者浓度,VBC控制集电结【耗尽层】的宽度,越宽,则促进基区的少子漂移到集电区。  发表于 2013-3-18 12:13
pjy
发射区的多子扩散到薄薄的基区,身份转变为少子,然后又漂移到集电区,身份恢复为多子。VBE控制着发射结【耗尽层】的宽度。  发表于 2013-3-18 12:10
HWM 发表于 2013-3-18 10:18 | 显示全部楼层
re LZ:

所谓“流控”还是“压控”,这取决于模型的选择。这就象是电路分析里的一般电源的等效模型,可以是理想电压源串内阻,或理想电流源并内阻。

虽然模型在“理论”上可以有多种选择,但实际需要结合具体的侧重点,如你是采用电压模还是采用电流模来描述电路信号。

在BJT所构成的放大器中,从基极看明显其信号源更适合采用电流源等效(Rb>>rbe),或理解为电流模输入。在此意义下,BJT是个“流控”器件,而实际上依此分析也带来了许多方便。

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HWM 发表于 2013-3-18 10:24 | 显示全部楼层
此外补充一句

除非你是研究《半导体物理》的,否则别随意使用“本质”一词。

在《模拟电路》里,所以“本质”就是器件模型,也仅是此。

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感谢HWM老师的指导。  发表于 2013-3-18 10:32

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ghost1325 + 1 此言给力,受教!

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xukun977 发表于 2013-3-18 10:26 | 显示全部楼层

6楼说的是,看的角度不同,结论也就不同,最要命的:电压和电流之间相互作用,导致两者纠缠不清。你4楼说的是跨导线性,与电流控制电流源的线性相比,是截然不同的两个角度。
根据大学知识:ic=beta•ib是核心,对Vbe是漠然的态度:只说它大约是0•7V。直到你学习电流磨电路了,这个观点才回改变,才会认识到Ic与Vbe的关系其实才是BJT的核心所在。
大概知道就够了,不搞理论用不着。

评论

pjy
BJT的输入输出特性结合起来理解。  发表于 2013-3-18 12:14
谢谢kun哥。  发表于 2013-3-18 10:33

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坏小子python + 1 很给力!

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Lgz2006 发表于 2013-3-18 10:39 | 显示全部楼层
楼主
所谓“BJT是电流型控制器件与“BJT放大电路”无关。
它是对“管模型”机制描述的提炼结果。一旦提到Vbe,那就进入电路层面了
 楼主| 坏小子python 发表于 2013-3-18 11:51 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2013-3-18 10:39
楼主
所谓“BJT是电流型控制器件”与“BJT放大电路”无关。
它是对“管模型”机制描述的提炼结果。一旦提到 ...

谢谢你的解释。
只是刚开始觉得既然是“控”,肯定是外部加个控制量。看来模型很重要。

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pjy
BJT自身的结构和半导体的特性才是理解的根本。  发表于 2013-3-18 12:15
Lgz2006 发表于 2013-3-18 11:58 | 显示全部楼层
坏小子python 发表于 2013-3-18 11:51
谢谢你的解释。
只是刚开始觉得既然是“控”,肯定是外部加个控制量。看来模型很重要。 ...

虽然准确说明一个道理不是太易,也还不用客气,牢记2楼所言吧
pjy 发表于 2013-3-18 12:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 pjy 于 2013-3-18 13:09 编辑

这个是PN结的数学模型,你确定是IC不是ID?
xukun977 发表于 2013-3-18 12:20 来自手机 | 显示全部楼层
pjy 发表于 2013-3-18 12:06
你确定不是I?


3L、17L:俺经常看见有人在顶楼式中IS前加个beta。

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pjy
哦~~明白,加个BETA是在放大区的范围,猜谜似的。  发表于 2013-3-18 13:07
 楼主| 坏小子python 发表于 2013-3-18 12:30 | 显示全部楼层
pjy 发表于 2013-3-18 12:06
你确定不是I?

Is不是be结的饱和电流么?

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pjy
这公式被改造的......,条件都不附上。  发表于 2013-3-18 13:09
你没看懂他那句话的意思,重看3L和18L。  发表于 2013-3-18 12:34
小营七郎 发表于 2013-3-18 16:10 | 显示全部楼层
。有电压才可能有电流,如果说发射集的电压没有正偏到能克制内电场,那么发射集的那边多子就不可能越过内电场的阻力到基区。但是当发射集电压过了那个限制之后,主要就是电流在起作用,因为这个时候多子是不受内电场的控制的。多子越过发射结,然后被基区很少量的少子给中和,另一部分在集电结电压的作用下流向集电极,基区少量的少子被中和后有发射结电压补充上去,于是大概上看是那个很小的电流Ib控制的,其实是Vbe.
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