关于SST39VF160

发表于 2008-2-21 16:06

周工好：    正在学习ARM.用的是贵司的EASYARM2200开发板。在实验“3.16 外部存储器接口实验1”时有一些疑问，希望能解惑！ 1。关于SST39VF160的起始地址怎么计算的？ 2。执行FALSH编程操作时，如      ip=GetAddr(0x5555);      *ip=0xaaaa;      实际上写的数据是0xaa，为什么要写成0xaaaa?有什么讲究么？ 3。关于这句：（就是在wordprogram()这个程序段中）     ip=(volatile uint16 *)(FLASH_ADDR|(Addr&0x1FFFFF));     不理解这句话的含义。我改成*ip=GetAddr(Addr)，觉得更好理解，后来我看了你们有一个勘误表也是这么改的，但有一个问题：我执行wordprogtam(0x02,0x55aa)，本意是把数据写入0x81000002 地址，但是从存储窗口中观测到实际上是写入到了0x81000004地址，而用ip=(volatile uint16 *)(FLASH_ADDR|(Addr&0x1FFFFF))却是正确的。整糊涂了 谢谢！

发表于 2008-2-21 17:36

我是这样理解的（如果有误别殴打我！）： 1.除了处理器把外部存储器分配到0x8000 0000以上这个要求以外，就是地址线和控制线的组合，平时都是把地址展开成0---31位，专门分析高几位地址形成的原因就好了。 2.我认为没什么用，该芯片只要求把低字节写入aa或55。但总线是16位宽的不用白不用！哈哈！ 3.0x8000 0002不是字对齐的，寻址可能出了问题。你可以从这方面考虑。具体，没有分析过。

发表于 2008-2-25 10:01

有没有XDJM能说得更详细一点？

发表于 2008-2-25 11:05

郁闷的人 您好：     可以按照liyangbbs的理解。     对于写字节时前面加的aa主要是防止产生干扰，一般对于操作总线来说，对于没用的数据位线不提倡全0或全1，如果这样的话总线数据切换时产生的干扰太大。     这里如果用wordprogtam(0x02,0x55aa)的话就会对齐到4字节处，因为在ARM中word被认为4字节大小。                                        on duty:zlgarm_zhanghuping

发表于 2008-2-27 21:08

我也在自几的EASYARM2200开发板做过这个实验，这句： ip=(volatile uint16 *)(FLASH_ADDR|(Addr&0x1FFFFF)); 确实很难理解，但结果却是对的，即然对了，你们为社么还要纠正在勘误表里呢？？ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　周工解释下啊～～～～

发表于 2008-2-28 01:21

0x5555和0x2AAA是flash操作周期里要求的地址，是指flash芯片A0-A19地址线上必须顺序出现的数值，因为SST39VF160的A0是与LPC2210的A1相连，所以这两个地址当然要先左移1位，然后反映在flash上就是操作所要求的正确的地址数值。          而0x80000002是字节地址，WordProgram()函数为半字数据编程，按照当前硬件连法(SST39VF160的A0是与LPC2210的A1相连)，WordProgram()内部使用uint16数据类型操作字节地址(0x80000002)时，是不需要做任何转换的(否则，如果是flash的A0与LPC2210的A0直接连接，那么需要把偏移地址除2，会增加额外的软件操作)。此时，flash的A0为1，半字偏移地址为1，换算成字节偏移地址不就是2嘛。

发表于 2008-2-28 14:18

还没看明白,不过先谢下

发表于 2008-2-29 10:05

huangbingg 您好！     您可以在开发板上做一些相关外部存储器实验就可以理解了。                           By zlgarm_lijintao

[ZLG-ARM] 关于SST39VF160

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SST39VF160

再追究下：

你要是用了《ecos增值包》就不会迷惑了，

还没看明白...

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