管脚符号
| 类型
| 描述
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A0-A9,A10/AP,A11,A12/BC#,A13
| Input
| 地址输入。为ACTIVATE命令提供行地址，和为READ/WRITE命令的列地址和自动预充电位（A10），以便从某个bank的内存阵列里选出一个位置。A10在PRECHARGE命令期间被采样，以确定PRECHARGE是否应有于某个bank：A10为低，这个bank由BA[2:0]来选择，或者A10为高，对所有bank。在LOAD MODE命令期间，地址输入提供了一个操作码。地址输入的参考是VREFCA。A12/BC#：在模式寄存器（MR）使能的时候，A12在READ和WRITE命令期间被采样，以决定burst chop(on-the-fly)是否会被执行（HIGH=BL8执行burst chop），或者LOW-BC4不进行burst chop。
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BA0,BA1,BA2
| Input
| Bank地址输入。定义ACTIVATE、READ、WRITE或PRECHARGE命令是对那一个bank操作的。BA[2:0]定义在LOAD MODE命令期间哪个模式（MR0、MR1、MR2）被装载，BA[2:0] 的参考是VREFCA
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CK,CK#
| Input
| 时钟。差分时钟输入，所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#的下降沿交叉处被采样，输出数据选通（DQS、DQS#）参考与CK和CK#的交叉点。
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CKE
| Input
| 时钟使能。使能（高）和禁止（低）内部电路和DRAM上的时钟。由DDR3 SDRAM配置和操作模式决定特定电路被使能和禁止。CKE为低，提供PRECHARGE POWER-DOWN和SELF REFRESH操作（所有Bank都处于空闲），或者有效掉电（在任何bank里的行有效）。CKE与掉电状态的进入退出以及自刷新的进入同步。CKE与自刷新的退出异步，输入Buffer（除了CK、CK#、RESET#和ODT）在POWER-DOWN期间被禁止。输入Buffer（除了CKE和RESET#）在SELF REFRESH期间被禁止。CKE的参考是VREFCA。
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CS#
| Input
| 片选。使能（低）和禁止（高）命令译码，当CS#为高的时候，所有的命令被屏蔽，CS#提供了多RANK系统的RANK选择功能，CS#是命令代码的一部分，CS#的参考是VREFCA。
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DM
| Input
| 数据输入屏蔽。DM是写数据的输入屏蔽信号，在写期间，当伴随输入数据的DM信号被采样为高的时候，输入数据被屏蔽。虽然DM仅作为输入脚，但是，DM负载被设计成与DQ和DQS脚负载相匹配。DM的参考是VREFCA。DM可选作为TDQS
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ODT
| Input
| 片上终端使能。ODT使能（高）和禁止（低）片内终端电阻。在正常操作使能的时候，ODT仅对下面的管脚有效：DQ[7:0],DQS,DQS#和DM。如果通过LOAD MODE命令禁止，ODT输入被忽略。ODT的参考是VREFCA
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RAS#,CAS#,WE#
| Input
| 命令输入，这三个信号，连同CS#，定义一个命令，其参考是VREFCA
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RESET#
| Input
| 复位，低有效，参考是VSS，复位的断言是异步的。
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DQ0-DQ7
| I/O
| 数据输入/输出。双向数据，DQ[7:0]参考VREFDQ
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DQS,DQS#
| I/O
| 数据选通。读时是输出，边缘与读出的数据对齐。写时是输入，中心与写数据对齐。
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TDQS,TDQS#
| Output
| 终端数据选通。当TDQS使能时，DM禁止，TDQS和TDDS提供终端电阻。
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VDD
| Supply
| 电源电压，1.5V+/-0.075V
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VDDQ
| Supply
| DQ电源，1.5V+/-0.075V。为了降低噪声，在芯片上进行了隔离
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VREFCA
| Supply
| 控制、命令、地址的参考电压。VREFCA在所有时刻（包括自刷新）都必须保持规定的电压
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VREFDQ
| Supply
| 数据的参考电压。VREFDQ在所有时刻（除了自刷新）都必须保持规定的电压
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VSS
| Supply
| 地
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VSSQ
| Supply
| DQ地，为了降低噪声，在芯片上进行了隔离。
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ZQ
| Reference
| 输出驱动校准的外部参考。这个脚应该连接240ohm电阻到VSSQ
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2.pcb设计，上图说明
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