请教,1.2V,80MA的开关控制如何实现

发表于 2007-11-22 10:30

现在有1.2V,最大负载80MA,计划用三极管控制开关,但觉得损耗太大,MOS管阀值电压似乎太低,模拟开关又太贵~~~~ 请各位给点建议

发表于 2007-11-22 16:32

发表于 2007-11-22 17:15

不过刚好工作电压在1.2V,比较没有裕量 是有点  又要马儿跑，又要马儿不吃草 的感觉,呵呵~~~ 没办法啊^^ 包括DC-DC,95%都闲低,人都要疯了 还请各位高手有什么好方法提供

发表于 2007-11-22 17:15

TR,MOS实现的话,有什么风险?

发表于 2007-11-22 23:29

自己设计的MOSFET，开启电压可以很低，就像计算机CPU里那样的 显然LZ不可能做ASIC 一个“凑合”的方案就是给 MOSFET 加热，温度高点，VGS 就有保证了

发表于 2007-11-24 16:39

楼上高人,觉得从可靠性考虑 1.用一个三极管,控制MOS管,可靠性怎么样? 2.模拟开关大概2毛美金,感觉更可靠

发表于 2007-11-25 01:28

不过你可以去各厂家网站搜搜，现在模拟技术发展也挺快 模拟开关其实也就是MOSFET 三极管控制MOS管的目的是什么？这同样不能解决1.2V电压的问题 能否只用三极管，要看你关心的损耗主要是压降还是基极电流。有的三极管饱和压降能达到0.2V以下。

发表于 2007-11-26 13:28

回楼上 1.模拟开关本来是用来切换模拟器件,一般的工作范围都在供电电压内, 2.由于现在这里的情况是,电流小,80MA,电压小,1.2V,所以用模拟开关来实现电源开关的作用,与几个厂家FAE讨论他们也觉得可行.好处时导通电阻小,大约0.5ohm,如INERSILE:ISL84715,6等 3.三极管控制MOS管的目的是MOS管承担低损耗电压,通电源.而三极管实现MOS管的阀值开启,因为目前控制信号也只有1.2V,直接控制MOS,会因为阀值太低而Ron很大,1ohm以上. 4.用三极管的话,VCE主要取决于IC把,主要关心饱和CE压降,基极电流无所谓

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没听说过1.2V的模拟开关

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