[电子元器件] 关于MOSFET管子衬底(case)的疑问.

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 楼主| 摸摸 发表于 2016-5-20 12:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
先来看一下MOSFET的结构

这个是MOS管的原理结构,在结构图上,P型(N型)衬底是独立的,在符号上也是一个单独的引脚C.


而实际中,衬底和源极连到了一起,所谓的C和S并到一起引出来了.其实这并不影响一般的使用.


从原理上分析,导电的沟道应该是G极和衬底间施加的电压产生的?当衬底与S连起来以后,这个电压就是所谓的VGS.
那问题来了,如果不考虑C与S的连接,这个电压是加在GS之间的话(S和C断开),管子能不能工作呢?

但大多数管子是S和C内部连接了,也就没有办法做这个分析.
但我最近发现部分管子的S和C是不连接的.


用表量了是不短路的,意思就是内部没有直连.

按手册里面给出的用法,S和C是要在外部电路上连接的.这和普通的MOSFET没有什么太大的区别.但问题不在这里.

问题在我最近发现一个机子上的这些MOSFET的C和S并不是连接的,C是接到了一个特定的电压上,而D/S脚的电压是不固定的.这样的用意是什么?工作条件又是什么?厂家的手册里面没有给出任何关于C脚的参数(比如电流和耐压什么的),那这种情况下,C脚是怎么配合其他引脚使用的呢?

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DOER 发表于 2016-5-20 16:54 | 显示全部楼层
顶一下,也想知道!
有器件吗?能否实测呢?
戈卫东 发表于 2016-5-20 18:47 | 显示全部楼层
CASE是外壳
Substrate是衬底,它和栅极之间的电压决定管子的输出电流/电阻
戈卫东 发表于 2016-5-20 18:55 | 显示全部楼层
某宝似乎有卖的,几块钱一个。。。。。。。不知道好不好
戈卫东 发表于 2016-5-20 18:58 | 显示全部楼层
高频电路有衬底和源极不连的用法。
xukun977 发表于 2016-5-20 20:53 来自手机 | 显示全部楼层
C叫背栅,闻名知意!
世界心 发表于 2016-5-21 10:37 | 显示全部楼层
利用反栅效应来设置MOS的饱和电流或者导通电阻
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