Flash 的持久期

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 楼主| wenfen 发表于 2016-6-4 18:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
MA86E/L508 规格书上写到内置 Flash  的持久期是100写周期, 我对同一地址进行IAP读写测试的时候发现超一万次了数据还可以进行擦写。
zhuhuis 发表于 2016-6-4 18:55 | 显示全部楼层
你怎么测的啊
 楼主| wenfen 发表于 2016-6-4 18:58 | 显示全部楼层
用串口软件每隔50ms对单片机发送一次写读命令。
 楼主| wenfen 发表于 2016-6-4 18:59 | 显示全部楼层
是芯片的资料有所保留还是我的测试办法有问题?  
宋倩2010 发表于 2016-6-4 19:00 | 显示全部楼层

芯片可重複寫入次數的測試是屬於破壞性測試,有一定的測試方式
冰清玉洁 发表于 2016-6-4 19:02 | 显示全部楼层
規格書上的寫入次數是出廠新品的芯片可以寫入的保證次數
chenho 发表于 2016-6-4 19:03 | 显示全部楼层
嗯,使用超過保證的寫入次數,不代表每個芯片每個批次都是如此
huanghuac 发表于 2016-6-4 19:03 | 显示全部楼层

是的,使用超過寫入次數,用戶只能自行控管芯片Flash資料的可靠度,芯片廠家不擔保。
happy_10 发表于 2016-6-4 19:04 | 显示全部楼层
我实测过89/ MA805系列的读写,都有10万次以上,但笙泉规格书都只有2万次
zhuhuis 发表于 2016-6-4 19:06 | 显示全部楼层

笙泉很保守,2万次是台积电(TSMC)保证的
 楼主| wenfen 发表于 2016-6-4 19:07 | 显示全部楼层
嗯,懂了,呵呵
 楼主| wenfen 发表于 2016-6-4 19:08 | 显示全部楼层
那就结贴了哈
jonson0322 发表于 2016-6-8 08:44 | 显示全部楼层


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