KF8F4156 Flash的读写操作

发表于 2017-7-31 15:55

/*************************************************************************************

     标         题: Flash的读写操作

* 项  目  名: W-R_FLASH_TEST

* 开发环境：ChipON IDE

* 使用芯片：KF8F4156

* 作          者：上海芯旺微电子技术有限公司

* 功能简述:  如程序所示，对相应的地址进行操作，操作结果通过断电 使用PRO读取。

*

* 跳线接法：只需给单片机供电即可，为了观看数据操作是否完成，可以连接P12和J21 ，当D4灯闪烁时表示操作完成。可断电读取数据。

*

* 特殊说明： 程序会占用不确定的FLASH地址，因此你需要确定用于自写的块或确保当前使用地址为非程序区

*                         当前芯片的可自写范围：800H~1FDFH，

*                         实现方法在该项目目录中建立occupancy.txt的文件，添加地址占用描述使编译器跳过该段区域的实现

*                         格式：

*                        一行一条记录，一条记录由3部分组成标识、起始地址、结束地址。

*                        文件可以包含任意多条记录

*                        标识用于标记占用数据段还是代码段，可以是code或者是data。

*                        起始地址结束地址使用十六进制表示。

*                        占用包含起始和结束地址。

*

*                        例如

*                        data 0x180 0x190

*                        code 0x800 0x810

*************************************************************************************/

#include <KF8F4156.h>

//====================////////////////////FLASH相关声明/////////////////==============//////////

                                /*参数传递说明见函数实现位置*/

#define                        FLASH_BUFFER_MAX        32                // 数据的大小与单次操作量相关，这里int型，16,32，除非不用写操作或不关心一些数据。

#define         LED  P1LR2

unsigned int         FLASH_BUFFER[FLASH_BUFFER_MAX];



unsigned int    FLASH_READ_BUF;        //当单字读函数使用非全嵌汇编模式时，使用该值获取读取结果值

unsigned int         FLASH_READ_ONE        (unsigned int address);        //读一个字

void                         FLASH_READ_FUN        (unsigned int address,unsigned char length);//读多个数据到数据缓存区，建议最多量为1个页即32个数据，同时建议不跨页操作，与写函数对应

void                         FLASH_WRITE_ONE        (unsigned int address,unsigned int value);  // 过程封装

void                         FLASH_WRITE_FUN        (unsigned int address,unsigned char length); //将缓存区数据写到对应位置，从第一个开始

///=========================================================================================///

void init_mcu()

{

        OSCCTL = 0x60;                           //设置为8M

        /*********端口初始化***********/

        TR0 = 0x04;                                                 //设置P0端口         1100 1111

        TR1 = 0x00;                                                 //设置P1端口        0000 0000

        TR2 = 0x00;                                                 //设置P2端口        0011 1111

        P0 = 0x00;

        P1 = 0x80;                        //P1.6 P1.7 指示运行结束灯

        P2 = 0xF0;

}



void main()

{

        unsigned char i;

        unsigned int temp=0;

        init_mcu();

//--- 准备待写入的数据0x0000 0x1111 0x2222...0xFFFF  0x1110  0x2221  0x3332 ...0xFFFE 0x110F

        for (i = 0; i < FLASH_BUFFER_MAX; i++)

        {

                FLASH_BUFFER[i] = temp;

                temp += 0x1111;

        }



//---setp 1                 写入到0x1E60 和0x1E80的FLASH空间 (页的首地址)

        FLASH_WRITE_FUN(0x1E60,FLASH_BUFFER_MAX);

        FLASH_WRITE_FUN(0x1E80,FLASH_BUFFER_MAX);





//--- setp 2                 读取 0x1E71，并写入到0x1EB5

        // 读取所需到缓存

        temp=FLASH_READ_ONE(0x1E71);

        // 非需要段的任意数据填充

        for (i = 0; i < 16; i++)

        {

                FLASH_BUFFER[i] = 0x0000;

        }

        //应该擦除0x1EA0页的数据 以便后续以0x1EB0开始的块写，如果确定该页为0xFFFF，可以跳过

        FLASH_WRITE_FUN(0x1EA0,16);

        // 修改要写入的值

        FLASH_BUFFER[5]=temp;

        FLASH_BUFFER[6]=0xFF33; //验证 用 0x1FB6

        // 执行0x0F98块的写入

        FLASH_WRITE_FUN(0x1EB0,16);





//--- setp 3        将OX0F69中的数据修改为0X55AA

#if 1        // 0 或  1

        FLASH_WRITE_ONE(0x1E69,0x55AA);

#else

        FLASH_READ_FUN(0x1E60,FLASH_BUFFER_MAX);        //缓存必须满足操作对应大小，不满足整页时，后续数据被删空

        FLASH_BUFFER[9]=0x55AA;

        FLASH_WRITE_FUN(0x1E60,FLASH_BUFFER_MAX);

#endif





//----------------------------------------- setp 4  end display

        while(1)

        {

                temp++;

                if(temp>30000)

                {

                        temp=0;

                        LED = !LED;

                }



        }

}

/***********************************************************************************

 * 函数名     ：FLASH_READ_ONE

 * 函数功能：以设定地址开始，读取一个数的FLASH数据并返回结果

 * 入口参数：起始地址

 * 返回          ：无

 **********************************************************************************/

unsigned int FLASH_READ_ONE(unsigned int address)

{

#if  1          // 1 选用C语言表达  0 选用嵌汇编表达，嵌汇编效率更高，但提示传递参数未使用和函数无返回，可以忽略



        // FLASH_READ_BUF;  需要定义全局的该变量，获取值用于返回，或直接使用

        //; 参数的使用

        NVMADDRH=(unsigned char)(address>>8);

        NVMADDRL=(unsigned char)address;

        __asm

                ;//备份中断使能寄存器

                        BANKSEL _INTCTL

                        MOV                R1,_INTCTL

                ;//关闭中断，操作不可打断

                        CLR                _INTCTL,_AIE

                        JNB                _INTCTL,_AIE

                        JMP                $-2

                ;//时钟频率备份及降频操作,建议降频到1M,此时中断已被关

                        MOV                R0,#0x30

                        MOV                R2,_OSCCTL

                        MOV                _OSCCTL,R0

                ;//硬件使能读操作

                        BANKSEL _NVMCTL0

                        MOV         R5,#0x81

                        MOV         _NVMCTL0,R5

                        NOPZ

                        NOPZ

                        NOPZ

                        NOPZ

                ;//时钟与中断使能的还原

                        MOV                _OSCCTL,R2

                        AND         R1,#0xC0        ;//中断使能仅关系高2位

                        ORL         INTCTL,R1

                ;//操作结果赋值到变量，用于返回

                        BANKSEL        _NVMDATAL

                        MOV        R6,_NVMDATAL

                        MOV        R7,_NVMDATAH

                        BANKSEL _FLASH_READ_BUF

                        MOV (_FLASH_READ_BUF),R6

                        MOV (_FLASH_READ_BUF+1),R7

        __endasm;

        return         FLASH_READ_BUF;

#else

        // 参数的传递使用  编译器自动变量 STK00  和 R0 ，其中R0为高位，返回使用STK00  和 R0 ，其中R0为高位

        __asm

        ;//传递操作地址

                BANKSEL _NVMADDRH

                MOV                _NVMADDRH,R0

                BANKSEL STK00

                MOV                R0,STK00

                BANKSEL _NVMADDRL

                MOV                _NVMADDRL,R0

        ;//备份中断使能寄存器

                BANKSEL _INTCTL

                MOV                R1,_INTCTL

        ;//关闭中断，操作不可打断

                CLR                _INTCTL,_AIE

                JNB                _INTCTL,_AIE

                JMP                $-2

        ;//时钟频率备份及降频操作,建议降频到1M,此时中断已被关

                MOV                R0,#0x30

                MOV                R2,_OSCCTL

                MOV                _OSCCTL,R0

        ;//硬件使能读操作

                BANKSEL _NVMCTL0

                MOV         R5,#0x81

                MOV         _NVMCTL0,R5

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

        ;//时钟与中断使能的还原

                MOV                _OSCCTL,R2

                AND         R1,#0xC0        ;//中断使能仅关系高2位

                ORL         _INTCTL,R1

        ;//操作结果提供形式 整型数据返回结果使用  编译器自动变量 STK00  和 R0 ，其中R0为高位

                BANKSEL        _NVMDATAL

                MOV                R0,NVMDATAL

                BANKSEL STK00

                MOV                STK00,R0



                BANKSEL        _NVMDATAH

                MOV                R0,NVMDATAH

        __endasm;

#endif



}

/***********************************************************************************

 * 函数名     ：FLASH_READ_FUN

 * 函数功能：以设定地址开始，读取一定个数的FLASH数据放置到数值FLASH_BUFFER[x]中

 * 入口参数：起始地址，操作个数

 * 返回          ：无

 **********************************************************************************/

void FLASH_READ_FUN(unsigned int address,unsigned char length)

{

#if 1             //  1时效率比0小   1 使用传递参数   0 按编译器全嵌汇编实现，但编译提示参数未使用，可以忽略

        //; 参数的使用

        NVMADDRH=(unsigned char) (address>>8);

        NVMADDRL=address;



        __asm

        ;//备份中断使能寄存器

                BANKSEL _INTCTL

                MOV                R1,_INTCTL

        ;//关闭中断，操作不可打断

                CLR                _INTCTL,_AIE

                JNB                _INTCTL,_AIE

                JMP                $-2

        ;//时钟频率备份及降频操作,建议降频到1M,此时中断已被关

                MOV                R0,#0x30

                MOV                R2,_OSCCTL

                MOV                _OSCCTL,R0

        ;//读取结果的存放起始RAM地址，即数组缓存区  FLASH_BUFFER[x]

                MOV                R3,#_FLASH_BUFFER

        __endasm;



        while(length--)        // 仅使用R0，不改变R1

        {

                __asm

                ;//硬件读

                BANKSEL _NVMCTL0

                MOV         R5,#0x81

                MOV         _NVMCTL0,R5

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ                                ;//至少2条

                NOPZ

                ;//读结果处理

                BANKSEL        _NVMDATAL

                MOV        R6,_NVMDATAL

                MOV        R7,_NVMDATAH



                BANKSEL _FLASH_BUFFER

                ST                [R3],R6

                INC                R3

                ST                [R3],R7

                INC                R3

                ;//指向下一操作地址，建议每次操作内容在一个块中，此时不需要处理_BADDRL进位的_BADDRH+1操作

                BANKSEL _NVMADDRL

                INC                _NVMADDRL

                JNB                _PSW,_Z

                INC                _NVMADDRH

                __endasm;

        }



        __asm

                ;//时钟与中断使能的还原

                BANKSEL _OSCCTL

                MOV                _OSCCTL,R2

                AND         R1,#0xC0        ;//中断使能仅关系高2位

                ORL         _INTCTL,R1

        __endasm;

#else

        // 参数1的传递使用  编译器自动变量 STK00  和 R0 ，其中R0为高位

        // 参数2的传递使用  编译器自动变量 STK01

        // 整体实现的嵌汇编会提示参数未被使用，可以忽略

__asm

        ;//传递操作地址

        BANKSEL _NVMADDRH

        MOV                _NVMADDRH,R0

        BANKSEL STK00

        MOV                R0,STK00

        BANKSEL _NVMADDRL

        MOV                _NVMADDRL,R0

        ;//备份中断使能寄存器

        BANKSEL _INTCTL

        MOV                R1,_INTCTL

        ;//关闭中断，操作不可打断

        CLR                _INTCTL,_AIE

        JNB                _INTCTL,_AIE

        JMP                $-2

        ;//时钟频率备份及降频操作,建议降频到1M,此时中断已被关

        MOV                R0,#0x30

        MOV                R2,_OSCCTL

        MOV                _OSCCTL,R0

        ;//读取结果的存放起始RAM地址，即数组缓存区  FLASH_BUFFER[x]

        MOV                R0,#_FLASH_BUFFER



FLASH_READ_FUN_LOOP:

        ;//硬件读

        BANKSEL _NVMCTL0

        MOV         R5,#0x81

        MOV         _NVMCTL0,R5

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ                                        ;//至少2条

        NOPZ

        ;//读结果处理

        BANKSEL        _NVMDATAL

        MOV        R6,_NVMDATAL

        MOV        R7,_NVMDATAH



        BANKSEL _FLASH_BUFFER

        ST                [R0],R6

        INC                R0

        ST                [R0],R7

        INC                R0

        ;//指向下一操作地址，建议每次操作内容在一个块中，此时不需要处理_BADDRL进位的_BADDRH+1操作

        BANKSEL _NVMADDRL

        INC                _NVMADDRL

        JNB                _PSW,_Z

        INC                _NVMADDRH

        ;//读数量的判断

        BANKSEL STK01

        DECJZ        STK01

        JMP                FLASH_READ_FUN_LOOP



        ;//时钟与中断使能的还原

        BANKSEL _OSCCTL

        MOV                _OSCCTL,R2

        AND         R1,#0xC0        ;//中断使能仅关系高2位

        ORL         _INTCTL,R1

__endasm;

#endif

}

/***********************************************************************************

 * 函数名     ：FLASH_WRITE_FUN

 * 函数功能：按块或按页写入数据到FLASH，个数参数只能为16,32 ，地址必须为块的首地址 如十六进制下结尾00 20 40 60 80 A0 C0 E0

 *                         如果地址不是页的首地址，必须确定后续块结果为0xFFFF，或前面操作过块首写，使后续块值被0xFFFF，否则写结果异常。

 * 入口参数：待写地址，待写地址的数据

 * 返回          ：无

 * 写时间说明：除去代码，以整页FLASH为例，操作完第一块需要6ms，另外3块需要3ms。即第一块执行整页的擦除后写自身块，其他块直接写。

 **********************************************************************************/

void FLASH_WRITE_FUN(unsigned int address,unsigned char length)

{

#if 1             //  1时效率比0小   1 使用传递参数   0 按编译器全嵌汇编实现，但编译提示参数未使用，可以忽略

        //; 参数的使用

        NVMADDRH=(unsigned char) (address>>8);

        NVMADDRL=address;



        __asm

        ;//备份中断使能寄存器

                BANKSEL _INTCTL

                MOV                R1,_INTCTL

        ;//关闭中断，操作不可打断

                CLR                _INTCTL,_PUIE

                CLR                _INTCTL,_AIE

                JNB                _INTCTL,_AIE

                JMP                $-2

        ;//时钟频率备份及降频操作,建议降频到1M,此时中断已被关

                MOV                R0,#0x30

                MOV                R2,_OSCCTL

                MOV                _OSCCTL,R0

        ;//读取结果的存放起始RAM地址，即数组缓存区  FLASH_BUFFER[x]

                MOV                R3,#_FLASH_BUFFER

        __endasm;



        while(length--)                // 仅使用R0，不改变R1

        {

                __asm



                ;//加载待写数据

                BANKSEL _FLASH_BUFFER

                LD                R6,[R3]

                INC                R3

                LD                R7,[R3]

                INC                R3

                BANKSEL _NVMDATAH

                MOV _NVMDATAH,R7

                MOV _NVMDATAL,R6

                ;//硬件写

                MOV         R5 ,#0x84

                MOV         _NVMCTL0,R5

                MOV         R5,#0x69

                MOV         _NVMCTL1,R5

                MOV         R5,#0x96

                MOV         _NVMCTL1,R5

                SET         _NVMCTL0 , 1        ;// 写存在高压，高压还原添加空指令确保后续运行正常

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ                                                ;// 建议10条，至少2条

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                MOV         R5,#0X80

                MOV         _NVMCTL0,R5

                ;//指向下一操作地址，这里不考虑高位，特性要求只能操作一页内的数据，不能跨页

                BANKSEL _NVMADDRL

                INC                _NVMADDRL

                __endasm;

        }



        __asm

                ;//时钟与中断使能的还原

                BANKSEL _OSCCTL

                MOV                _OSCCTL,R2

                AND         R1,#0xC0        ;//中断使能仅关系高2位

                ORL         _INTCTL,R1

        __endasm;

#else

        // 参数1的传递使用  编译器自动变量 STK00  和 R0 ，其中R0为高位

        // 参数2的传递使用  编译器自动变量 STK01

        // 整体实现的嵌汇编会提示参数未被使用，可以忽略

__asm

        ;//传递操作的地址(块首)

        BANKSEL _NVMADDRH

        MOV                _NVMADDRH,R0

        BANKSEL STK00

        MOV                R0,STK00

        BANKSEL _NVMADDRL

        MOV                _NVMADDRL,R0

        ;//备份中断使能寄存器

        BANKSEL        _INTCTL

        MOV                R1,_INTCTL

        ;//关闭中断，操作不可打断

        CLR                _INTCTL,_PUIE

        CLR                _INTCTL,_AIE

        JNB                _INTCTL,_AIE

        JMP                $-2

        ;//时钟频率备份及降频操作,建议降频到1M,此时中断已被关

        MOV                R0,#0x30

        MOV                R2,_OSCCTL

        MOV                _OSCCTL,R0

        ;//待写数据的存放起始RAM地址，即数组缓存区  FLASH_BUFFER[x]

        MOV                R0,#_FLASH_BUFFER



FALSH_WRITE_PAGE_LOOP:

        ;//加载待写数据

        BANKSEL _FLASH_BUFFER

        LD                R6,[R0]

        INC                R0

        LD                R7,[R0]

        INC                R0



        BANKSEL _NVMDATAH

        MOV _NVMDATAH,R7

        MOV _NVMDATAL,R6



        ;//硬件写

        MOV         R5 ,#0x84

        MOV         _NVMCTL0,R5

        MOV         R5,#0x69

        MOV         _NVMCTL1,R5

        MOV         R5,#0x96

        MOV         _NVMCTL1,R5

        SET         _NVMCTL0 , 1        ;// 写存在高压，高压还原添加空指令确保后续运行正常

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ                                                ;// 建议10条，至少2条

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        MOV         R5,#0X80

        MOV         _NVMCTL0,R5

        ;//指向下一操作地址，这里不考虑高位，特性要求只能操作一页内的数据，不能跨页

        BANKSEL _NVMADDRL

        INC                _NVMADDRL



        BANKSEL STK01

        DECJZ        STK01

        JMP                FALSH_WRITE_PAGE_LOOP



        ;//时钟与中断使能的还原

        BANKSEL _OSCCTL

        MOV                _OSCCTL,R2

        AND         R1,#0xC0        ;//中断使能仅关系高2位

        ORL         _INTCTL,R1

__endasm;

#endif

}



/***********************************************************************************

 * 函数名     ：FLASH_WRITE_ONE

 * 函数功能：向某一地址写入一个字，不建议使用，实际执行从页首读出，经对应地址的缓存修改，在页起始回写，因此地址与页首偏移量需要数组大小满足需求。

 * 建议：         可采用FLASH_WRITE_FUN的传递个数为16,32 对应连续操作地址开始的第一块 第二块

 *                          但地址必须是某块的开始

 * 入口参数：待写地址，待写地址的数据

 * 返回          ：无

 **********************************************************************************/

void FLASH_WRITE_ONE(unsigned int address,unsigned int value)

{

        // 读出当前页到数据缓存，要求缓存大小必须满足写地址的偏移量要求

        FLASH_READ_FUN(address&0xFFE0,FLASH_BUFFER_MAX);

        // 修改待写数据在按照页排序中位置数据结果

        FLASH_BUFFER[address&0x1F] = value;

        // 整页数据回写

        FLASH_WRITE_FUN(address&0xFFE0,FLASH_BUFFER_MAX);

}

[KungFu8位 MCU] KF8F4156 Flash的读写操作

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