本帖最后由 airwill 于 2010-9-17 10:26 编辑
STM32_Flash_RM_CH_V6.pdf
P11 上这么描述
当保护字节被写入相应的值以后:
1 只允许从用户代码中对主闪存存储器的读操作(以非调试方式从主闪存存储器启动)。
2 第0~3页(小容量和中容量产品),或第0~1页(大容量和互联型产品)被自动加上了写保护,
其它部分的存储器可以通过在主闪存存储器中执行的代码进行编程(实现IAP或数据存储等
功能),但不允许在调试模式下或在从内部SRAM启动后执行写或擦除操作(整片擦除除
外)。
3 所有通过JTAG/SWD向内置SRAM装载代码并执行代码的功能依然有效,亦可以通过
JTAG/SWD从内置SRAM启动,这个功能可以用来解除读保护。当读保护的选项字节转变
为存储器未保护的数值时,将会执行整片擦除过程。
不过我也没有试验过, 等待楼主的进一步试验.
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