数据写入EEPROM问题

发表于 2017-10-6 21:06

一个数组uchar buf[100]，想把里面100个字节依次写入EEPROM，应该怎么实现？如果一次写一个字节，每次都要将地址写入吗，可不可以实现地址的自动偏移？

发表于 2017-10-6 21:23

这个要看EEPROM的手册，有的EEPROM支持连续写的功能。

发表于 2017-10-6 21:24

这个需要进行地址的偏移处理的吧

发表于 2017-10-6 21:28

EEPROM一般支持页写的，写一次地址就可以写一页，速度更快。

发表于 2017-10-6 21:30

这个只能是地址自++才行吧。

发表于 2017-10-6 21:34

EEPROM有偏移的方式啊。

发表于 2017-10-6 22:58

不能连续写入的。

发表于 2017-10-6 22:58

可以定义一个批量写入的函数。

发表于 2017-10-6 22:59

EEPROM分页写数据

发表于 2017-10-6 22:59

写入的起始地址为EEPROM的有效地址,且待写入的数据总长度不超过从所述的起始地址到EEPROM的最高地址

发表于 2017-10-6 23:00

EEPROM能够多个数据读写

发表于 2017-10-6 23:01

Flash芯片可以连续写入数据。

发表于 2017-10-6 23:01

针对EEPROM不能批量写入数据。

发表于 2017-10-6 23:01

论从那个地址连续写,不能超过(跨过)一整页

发表于 2017-10-6 23:01

https://wenku.baidu.com/view/e3f6e9e2b8f67c1cfad6b82d.html

发表于 2017-10-6 23:01

能够按页写数据。

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