变量保存问题

发表于 2018-9-25 11:21

请教一下论坛前辈，有一个项目，设置的压力参数需要在程序中更改，而且下一次断电重启后，这个压力参数保持上一次的值不变，这个参数变量放在RAM中肯定不行，掉电后就成了默认值了，我考虑这个变量能不能放在ROM中，但如果放ROM中，程序运行时是改不了的啊，我该怎么办，是不是一定要加一个串行或者并行存储器？

发表于 2018-9-25 13:28

看你用的是那种单片机，有的单片机是可以把数据存在flash里。

发表于 2018-9-25 13:34

就是修改的数据需要掉电保存，很多单片机都支持flash或者eeprom的，不过不支持则只能外挂eeprom芯片了

发表于 2018-9-25 13:47

单片机是STC12C5A16S2，看手册是支持在系统编程的。

发表于 2018-9-25 13:48

但是FLASH中是存储的程序啊，操作FLASH不会打程序搞乱吗？我怎么知道那些地址可以操作，那些不能操作？？？

发表于 2018-9-25 15:09

tianxiongweitxw 发表于 2018-9-25 13:48
但是FLASH中是存储的程序啊，操作FLASH不会打程序搞乱吗？我怎么知道那些地址可以操作，那些不能操作？？？ ...

看手册吧

发表于 2018-9-25 18:36

用片内Flash不就可以了，用片内低压中断或者AD分压检测欠压点
没欠压前，修改后的参数在RAM里不用管
检测欠压后，把参数做个简单的校验和协议函数，打个包
参数一次存储到指定FLASH扇区

上电后从指定扇区读取数据,根据协议校验
校验正确，填入参数值
校验错误，填初时参数值

发表于 2018-9-25 18:52

用AD检测欠压,5-10MS时间片轮询一次即可
低压中断的话,硬件自动帮你检测了
单片机VCC电容要够大，保证数据能可靠写入
欠压检测点不能太高85%差不多了

发表于 2018-9-26 11:13

谢谢各位的建议。

登录 · 发表于 2018-9-26 12:02

本帖最后由神奇号于 2018-9-26 12:04 编辑

看了下，EEPROM有45K，完全够你存的

发表于 2018-9-26 16:07

程序空间和EEPROM空间到底有什么区别，怎么寻址，我理解两者是一样的。

发表于 2018-9-26 16:30

tianxiongweitxw 发表于 2018-9-26 16:07
程序空间和EEPROM空间到底有什么区别，怎么寻址，我理解两者是一样的。

其实都是flash存储区，只是两者位于不同的地址区域，需按不同的方式访问

发表于 2018-9-27 14:02

放在EEPROM里。这个非常普遍的存储方式，

登录 · 发表于 2018-9-27 15:31

发表于 2018-11-12 11:30

放到一个固定的ROM位置；
每隔一段时间或者每次更改重刷新写入；

发表于 2018-11-14 16:01

新手小白可在某宝上搜索 51单片机开发远程服务
可以放在STC的EEPROM里面

发表于 2018-11-14 17:12

建议用EE，不建议用flash，flash只能从1写为0，要从0写为1需要擦除，反正本人是这么理解的，有不对的地方请有异议的坛友指正

发表于 2018-11-14 20:03

一叶倾城wwq 发表于 2018-11-14 17:12
建议用EE，不建议用flash，flash只能从1写为0，要从0写为1需要擦除，反正本人是这么理解的，有不对的地方请 ...

一般的应用要存储的数据也就10来个字节不到
用E2P还要外挂，占空间还占成本，E2P写一个字节要2MS左右
这个时候存FLASH是比较好的
没掉电前，哪怕你一天改100W次参数，数据反正在RAM里面
检测到低压后，我只要保存你最后一次修改的参数

发表于 2018-11-14 22:32

hwpga 发表于 2018-11-14 20:03
一般的应用要存储的数据也就10来个字节不到
用E2P还要外挂，占空间还占成本，E2P写一个字节要2MS左右
这 ...

你说的方法给了我一个新的思路,这样的确能大幅减少flash写入次数,如果掉电的瞬间触发flash写入,flash操作要产生时序,产生编程用的电压,这个电压一般比运行电压高,而电源电压这个时候在波动,这个会不会影响数据的可靠性?的确,增加vcc的电容能够放缓电源变化速率,但这种方式在实际应用中具体效果怎么样?
我目前需要保存掉电保存的数据都是改变则保存到flash,只是这样软件上复杂点,需要循环使用flash的地址,但我认为这样的方式能够保证数据是可靠的.

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