[应用相关] 可不可以实现地址的自动偏移?

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 楼主| happy_10 发表于 2019-1-26 18:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
一个数组uchar buf[100],想把里面100个字节依次写入EEPROM,应该怎么实现?如果一次写一个字节,每次都要将地址写入吗,可不可以实现地址的自动偏移?
gongche 发表于 2019-1-26 18:35 | 显示全部楼层
这个要看EEPROM的手册,有的EEPROM支持连续写的功能。
huwr 发表于 2019-1-26 18:38 | 显示全部楼层
这个需要进行地址的偏移处理的吧
huanghuac 发表于 2019-1-26 18:41 | 显示全部楼层
EEPROM一般支持页写的,写一次地址就可以写一页,速度更快。
bqyj 发表于 2019-1-26 18:45 | 显示全部楼层

这个只能是地址自++才行吧。
songqian17 发表于 2019-1-26 18:48 | 显示全部楼层
EEPROM有偏移的方式啊。
zwll 发表于 2019-1-26 18:52 | 显示全部楼层
不能连续写入的。
chuxh 发表于 2019-1-26 18:54 | 显示全部楼层
可以定义一个批量写入的函数。
juventus9554 发表于 2019-1-26 18:57 | 显示全部楼层

EEPROM分页写数据
stly 发表于 2019-1-26 19:00 | 显示全部楼层
写入的起始地址为EEPROM的有效地址,且待写入的数据总长度不超过从所述的起始地址到EEPROM的最高地址
dingy 发表于 2019-1-26 19:02 | 显示全部楼层

EEPROM能够多个数据读写
pengf 发表于 2019-1-26 19:06 | 显示全部楼层
Flash芯片可以连续写入数据。
renyaq 发表于 2019-1-26 19:09 | 显示全部楼层
针对EEPROM不能批量写入数据。
supernan 发表于 2019-1-26 19:13 | 显示全部楼层
论从那个地址连续写,不能超过(跨过)一整页
xxrs 发表于 2019-1-26 19:16 | 显示全部楼层

https://wenku.baidu.com/view/e3f6e9e2b8f67c1cfad6b82d.html
wyjie 发表于 2019-1-26 19:19 | 显示全部楼层
能够按页写数据。
 楼主| happy_10 发表于 2019-1-26 19:22 | 显示全部楼层

嗯,我再好好缕一缕吧,有了好消息及时通知大家,结贴喽
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