[技术讨论] 关于单相可控整流的初始启动冲击问题

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 楼主| xaq1104 发表于 2019-8-1 17:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近在做单相可控整流,遇到一个瓶颈就是,随着交流侧电压的升高,初始启动电流也越来越大,后面系统就直接保护了,igbt扛不住这么大的冲击电流了,尝试了很多方法,都没啥效果,各位大佬们,有什么建议?
xmar 发表于 2019-8-2 09:22 | 显示全部楼层
楼主把可控硅电路图贴出来,才好分析。
 楼主| xaq1104 发表于 2019-10-10 16:25 | 显示全部楼层
xmar 发表于 2019-8-2 09:22
楼主把可控硅电路图贴出来,才好分析。

这是电路图

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xmar 发表于 2019-10-10 16:48 | 显示全部楼层
增加IGBT管子的功率、增加二极管D的功率。尽可能减小滤波电解电容(2500uF)电容的容量。增加ILaa电感的电感量。
gx_huang 发表于 2019-10-10 16:53 | 显示全部楼层
从原理上说,只能开始时,移相整流,慢慢增加导通角。
gx_huang 发表于 2019-10-11 13:01 | 显示全部楼层
很好奇,LZ用的是啥开关器件?
左边交流输入,右边直流输出吗?
如果是带二极管的IGBT,由于二极管的存在,IGBT没啥用呀?
除非是右边输入,左边输出,逆变状态,才有开关作用。
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